LED材料、装备技术取得新进展
——CHINASSL2013材料与装备技术会议召开
“硅衬底外延和荧光粉新材料的实验都取得了可以展示的成果，这对企业提高设备的优良出品率以及国内企业在新材料上突破国外专利封锁均有积极意义。”
“Michael Heuken教授关于不同情况下对翘区的影响，对企业启发很大，原来只是买来MOCVD，但并没有考虑到监控这方面的东西。实际上，随着衬底片从2衬到4衬再到6衬，这个问题越来越严重，Michael Heuken教授的报告很及时，正好解决了企业面临的问题。”
10日下午，CHINASSL2013之分会——材料与装备技术会议(1)在北京昆泰酒店8-9号会议室召开。七八十人的会议室座无虚席。来自产业各界的代表，前来听取包括中科院半导体研究所照明中心、南京工业大学电光源材料科学研究所、飞利浦、爱思强、中微半导体设备有限公司、塞伦光电以及北京北方微电子和山东浪潮华光光电子等国际国内知名材料和设备厂商代表关于材料和装备技术的实验室新成果。南京大学电子学院博士生导师、南京大学扬州光电研究院院长陈鹏教授主持了本次会议。
中科院半导体研究所照明中心副研究员刘志强首先介绍了《低维结构—GaN LED的潜在发展趋势》，由于氮化物发光二极管主要基于平面InGaN/GaN多量子阱支撑，并且表现出了可喜的性能，但同时这种传统平面结构也存在一些问题，使其进一步发展受到制约，而通过利用商用MOCVD系统制备特别设计的多层InGaN量子点，同时利用选取外延方法制备独特的金字塔阵列InGaN/GaN核壳结构LED，结果显示，低维结构是进一步提高氮化物发光二极管的有力手段，并且，低维结构在实现单芯片白光发射方面有其潜在优势。
飞利浦研究中心资深研究员徐庶带来了《开发空气中稳定的量子点荧光粉用于LED照明》的相关技术，由于本人因公出差不能到会，又不愿错过此次交流的机会，专门委派代表进行了相关介绍。
爱思强研发副总裁Michael Heuken教授就《在耦合莲蓬反应室中现场测量在干法刻蚀图形化的蓝宝石衬底上的LED MOCVD生长》做了介绍和解读。该项技术得到了与会企业的普遍关注和好评。主持人陈鹏教授和华延芯光(北京)科技有限公司林岳名博士给出了文中开始的高度评价。
随后，塞伦光电有限公司的Bedwyr Humphreys介绍了《开发高质量、低缺陷密度半极化和非极化氮化镓模板》的做法，实验表明，利用纳米柱技术，成功实现了非极性和半极性GaN FWHM的有效降低，同时随着方法的成熟，GaN的性能将得到进一步的改善。在高质量a面GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构现实了优秀的光学性质。
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任在公司副总裁丁培军介绍了《Sputter技术在LED芯片亮度提升中的应用》，该技术现场引发刘志强副研究员的强烈兴趣，双方表示会后可进一步进行交流探讨。
茶歇后，Michael Heuken教授就《MOCVD行星反应室中的硅基LED的Tuning》再次上台与听众分享，南京工业大学点光源材料科学研究所所长王海波教授则介绍了《蓝光激发的连续光谱荧光粉和远程技术的研究》，也是这项研究，陈鹏教授评价该技术若能进一步提高转换效率至市场通用平均水平，国内企业在荧光粉新材料应用方面取得突破可期，而从材料上突破国际企业的专利封锁，是一个非常好的技术通道。
最后，山东浪潮华光光电子股份有限公司工程师沈燕介绍了《通过改变氧流量蒸发不同形貌ITO薄膜》技术的实验应用。
针对本次会议展示的技术成果，陈鹏教授认为，会议展示的技术其实都是原有材料和设备技术的进一步优化。LED技术发展多年以来，普通技术企业都掌握，但如何做的更好，各有看法。虽有看法，但又缺乏实验数据。这次会议当中就给出了一些比较有意义的数据和一些明确的改进方向，如在PS上面控制翘区，芯片工艺里面用ITO时，注重它的折射率等，这些都是非常具体的优化技术，而这些画龙点睛的技术，有效提升了LED的产业技术，“这可以说是这次技术会议最实质的结果和最大价值。”
