2013年11月11日,第十届中国国际半导体照明论坛之“芯片、器件、封装与模组技术分会(1)”在北京昆泰酒店召开。会上,华灿光电股份有限公司总裁刘榕做了题为“高压LED关键技术开发和未来展望”的报告。
报告介绍了高压LED中绝缘沟道的特性,比如侧壁表面粗糙度,刻蚀深度,倾斜角度和表面图案对器件性能的影响的实验过程及结论,在研究结果的基础上,华灿光电通过优化绝缘沟道的这些物理特性,制备了高性能18伏的20*45mil高压LED芯片。该芯片的封装后光效达到了130lm/w同时拥有优越的光发射均匀性。
据了解,目前高压LED芯片的市场份额仍然落后于传统LED芯片,刘榕表示,高压LED是LED照明的技术分支,有助于减少封装成本,降低工艺过程的成本,随着研究的进行,高压LED的可靠性以及良率也在提升。另外,倒装芯片技术水平不断提高,与倒装技术相结合,高压LED会成为LED很重要的技术方案。