配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用DPAK封装的100VMOSFET，以及一个同样采用DPAK封装的100V肖特基二极管。LED背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会造成一些问题，尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100V增加到120V，但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。
飞兆半导体的设计团队开发了一种替代方法，即采用100VBoostPak解决方案。BoostPak系列(图1)在单封装内集成两个器件：一个100VMOSFET和一个150VNP二极管。
图1.BoostPak在单封装内集成100VMOSFET和150VNP二极管
BoostPak系列采用5引脚DPAK单封装。N沟道MOSFET针对最大程度降低导通电阻并保持出色的开关性能而设计。NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。相比肖特基二极管，它具有低得多的漏电流，在高温应用中提供更高的系统可靠性。
相比双分立器件解决方案，BoostPak方案的尺寸更小，可节省多达20mm2的PCB空间。使用单封装而非两个封装还意味着装配更方便、系统成本更低。
BoostPak系列提供两种版本，一种额定输出功率为25W，另一种额定值为40W。表1列出详细信息。
表1.BoostPak装配规格
更高温度下的性能更佳
图2：二极管漏电流比较
我们想要知道NP二极管的漏电流到底有多低，因此我们进行了一些测试。测试结果如图2所示。
与100V、5A肖特基二极管相比，150V、5ABoostPak系列NP二极管在所有条件下的额定漏电流值低得多，但两者在高温下差别极大。随着温度上升，肖特基二极管的漏电流以极快的速度增加，而相比之下NP二极管的漏电流依然较低。
BoostPak系列的NP二极管采用绝佳的生命周期控制工艺制成，以实现极快速的反向恢复时间和合理的正向压降(VF(典型值)：0.9V，条件为IF=5A、TJ=100度)
图3：对反向恢复时间进行了比较
实际设计
下一步，我们将验证BoostPak系列能够在实际设计中限制漏电流，因此我们开发了一款评估板，并在多种条件下进行测试。图4为基本设计，BoostPak系列高亮显示。
图4.LED背光中的BoostPak
该设计针对35W升压拓扑，使用连续电流模式(CCM)操作。输入电压范围为20.4V至27.6V，采用单通道直流输出，恒定电流值为640mA(55V)。我们采用BoostPak系列的FDD8500N10LD版本。
在CCM操作期间，二极管反向恢复电流增加MOSFET的导通损耗。NP二极管提供低反向恢复电流，对MOSFET的影响更小。
测试温度与EMI
我们在设计BoostPak产品时，牢记两个目标。首先，我们希望将器件壳的工作温度保持在65℃以下。其次，我们希望满足电磁干扰(EMI)的通用规格，将EMI保持在CISPR22B类标准规定的限值以下。
我们测量了饱和温度。如表2所示，在24V输入电压(VIN)的情况下，BoostPak系列温度保持在61.5℃，低于65℃的目标。
表2.VOUT=55V(35W)时的测试结果
接着，我们通过检查五串LED负载时的辐射量，测试EMI。图5显示VIN为24V时的结果。
图5.辐射量：VIN=24V
在30MHz至1000MHz的子频率范围内，辐射量远低于CISPR22B类的额定限值。
结论
测试结果显示飞兆半导体的BoostPak系列(以单个100VBoostPak替代100VMOSFET和100V肖特基二极管)低漏电流二极管满足工作温度下必须的性能和EMI要求。同时，使用BoostPak系列可让设计的尺寸更小、更紧凑，并且更易于组装。在成本竞争型应用中，如屏幕尺寸小于40英寸的LED电视机，这些优势可让产品脱颖而出。BoostPak方法还可节省其他应用的成本，比如LED照明系统和升压/降压操作DC-DC转换器。
