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美研究人员开发GaN LED新型涂层 提升LED亮度

放大字体  缩小字体 发布日期:2014-03-26 来源:中国半导体照明网浏览次数:21

       中国半导体照明网译  美国北卡罗来纳州立大学最新开发出了一种新技术,能够在不增加耗电量的情况下大幅度提升LED的亮度,同时还能带来更高的稳定性和适用性。这一技术相关的研究文章已发表在著名的化学期刊《朗缪尔》上。

       研究的第一作者为北卡罗来纳州立大学的斯图尔特·威尔金斯博士,他表示他们所采用的方法是在常用的GaN LED上添加膦酸组涂层。研究人员首先采用多层自组装技术来生产GaN,然后添加含有磷酸分子的有机磷,最后将其涂到GaN材料的表面。GaN能够改善LED的光效,膦酸组材料则能够保障GaN的稳定性,使其不易与环境中的物质发生反应。

       “GaN的稳定性十分重要,”威尔金斯介绍说,“因为这将使其更有可能被应用到生物医学当中,比如可植入型传感器。”

       相关研究显示,与普通硅材料LED相比,GaN能够提高LED的光输出量。在相同能耗的情况下,硅材料LED的光通量能够达到1000流明,而GaN LED则能达到2000流明。此外,GaN LED体积和质量更小,也更容易实现不同类型的集成。

       原文链接:http://www.lednews.org/researchers-gan-led-technology-double-flux/

 
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关键词: LED亮度 GaN LED
 
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