德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)宣布，通过在LED的控制电路中采用氮化镓(GaN)，成功地将现有的亮度为1000lm的LED灯泡改造成了2090lm的高亮度LED灯泡，LED灯泡的发光效率也提高了数个百分点。
Fraunhofer IAF改造部分控制电路，将LED灯泡的光通量从1000lm提高至2090lm
LED控制电路的作用是使交流变直流转换器的输出电流保持在恒定水平。据Fraunhofer IAF介绍，LED芯片非常容易受到电流波动的影响，控制电路的可靠性对于芯片寿命有着很大影响。一般情况下，该控制电路的晶体管都采用硅半导体。
此次，Fraunhofer IAF采用GaN晶体管而非硅晶体管制作了控制电路。而且已经确认，即使电流、温度及电压比使用硅晶体管时都要大，GaN晶体管也能够以非常高的可靠性工作。控制电路的工作效率也比较高，为86%，比采用硅晶体管时高出1～4个百分点。
此外，与采用硅晶体管时相比，采用GaN晶体管的控制电路能够以10倍以上的高频工作。这意味着可以减小感应器和电容器等器件的尺寸。如果能够减小器件的尺寸，将有助于LED灯泡的进一步小型化及制造成本的降低。
Fraunhofer IAF表示，对于市售的亮度约为1000lmLED灯泡，将其控制电路换成上述采用GaN晶体管制作的控制电路后，光通量可提高至2090lm。(作者：野泽 哲生，日经技术在线!供稿)
