华灿光电在2014 年 4 月 16 日到 4 月 19 日接连披露重大事项。其中，4月17日发布了业绩修正公告称，2013年公司归属净利润为亏损861.66万元，比2月份发布的业绩快报减少148%，企业从盈利突变至亏损状态。
同时，华灿光电还于 2014 年 4 月 18 日上午 9 时召开了第一届董事会第二十九次会议，会议审议并通过了《关于华灿光电(苏州)有限公司LED 外延片芯片三期项目的议案》，其三期投资金额约为11.8亿。经申请，公司股票自 2014 年 4 月 21 日开市起复牌。
业绩突变：盈转亏
华灿光电于4月16日发布董事会致歉公告，公告中称，公司于2014年2月27日发布了《2013年度业绩快报》(公告编号：2014-010)。经过财务部门测算，预计2013年度归属于上市公司股东的净利润为18,063,975.59元。
经大信会计师事务所(特殊普通合伙)(以下简称“会计师事务所”)对公司2013年度财务报表审计，公司2013年度营业利润为-124,333,428.30元，与业绩快报所列数字减少35%;利润总额为10,269,540.90元，与业绩快报所列数字减少76%;归属于上市公司股东的净利润为-8,616,637.66元，与业绩快报所列数字减少148%。
出现以上调整的主要原因是：
1)全资子公司华灿光电(苏州)有限公司(以下简称“苏州子公司”)从2012年末开始LED外延芯片项目建设，预计2014年12月31日建设完成，计划总投资18.1亿元。2013年苏州子公司购进8组32台MOCVD设备进行安装调试，其中4组16台当年转入固定资产。公司管理层认为工程领用的原材料、备品备件、试车费用等是用于设备基本功能调试，在未来正常生产研发过程中不再发生，因此均应计入到在建工程(设备)。会计师事务所认为，苏州子公司试车费用中的部分损耗不应资本化，应计入当期损益，因此调减在建工程19,954,498.49元。
2)公司管理层认为，基于 4 英寸外延芯片工艺的产品是公司未来的主流产品，因此 2013 年母公司发生的 4 英寸 GaN 基高亮度 LED 外延生长技术开发、4 英寸GaN 基 LED 芯片加工技术开发项目符合资本化条件，因此将相关费用计入到开发支出中。会计师事务所认为 4 英寸产品系公司新产品，上述两研发项目支出归类为研究阶段更合理，不符合开发支出资本化的确认条件，相关费用应计入当期损益，因此调减开发支出 10,725,193.96 元。
3)其它会计差错调整 989,545.42 元。
4)根据上述事项调整后的结果，调整减少应交税金(所得税)和所得税费用4,988,624.62 元。
对上述第1、2项调整，公司管理层与会计师事务所虽有不同的理解和意见，但公司最终仍尊重会计师事务所的谨慎原则，同意上述调整。综合以上四项，合计调减净利润26,680,613.25元。上述调整使相关资产及损益项目发生相应变动。
记者了解到，华灿光电出现业绩盈转亏的局面，华灿光电董事会也就本次业绩快报出现重大差异做出自查认定，本次业绩快报出现差异的原因最终归结于为公司财务人员对在建工程、开发支出的认定理解存在偏差所导致。
项目加码：11.8亿元投建三期项目
华灿光电(苏州)有限公司 LED 外延片芯片三期项目(以下简称“三期项目”或“项目”)属于扩建项目，拟建于张家港经济技术开发区晨丰公路以北、彩虹路以南，在华灿苏州公司现有厂区内建设。本项目拟利用厂区现有外延厂房和芯片厂房总面积14,500 平方米，拟购置 MOCVD、PECVD、ICP 等生产及辅助设备 589 台/套(其中：进口设备 466 台/套，国产设备 123 台/套)。
项目投资总额 11.84 亿元，其中：设备投资 9.31 亿元，土建及安装工程 0.54 亿元，铺底流动资金 1.00 亿元，建设期一年。项目建设后，将形成年产 4 英寸 LED 外延片65.6 万片、LED 芯片 262.4 亿颗的生产能力，项目的年销售规模 7.99 亿元，年利润1.60 亿元。项目所得税后财务内部收益率 15.7%，项目投资回收期 5.73 年(含建设期1 年)。
项目将筹集投资资金 11.84 亿元，其中：自筹资金 4.24 亿元，债务融资 7.60 亿元。
另外，华灿光电在本项目之前，已有二个投资建设项目，分别是“LED 外延片芯片项目”(以下简称“一期项目”)和“LED 外延片芯片二期项目” 以下简称“二期项目”)。
一期项目已完成厂房的土建工程，部分设备已于 2013 年底到厂并完成调试，已开始部分投入生产。截止至 2013 年 12 月 31 日，该项目已投资 80,610 万元占总投资181,237 万元的 44.5%。一期项目在 2014 年仍将继续完成后续的投资，如综合楼及剩余未到的设备。
二期项目为红黄光 LED 外延芯片项目，计划在一期项目的厂房内利用空间，增加红黄光的生产设备进行生产，以完善公司产品结构。二期项目还对一、二期项目生产所需氮气、氢气进行现场制备。二期项目计划投资 3.05 亿元，计划 2013 年 12 月开始，在 2014 年内完成。现在正在进行设备采购和安装过程中。
一、二期项目达成后，将形成年产 LED 外延片 54 万片(折合 4 寸片，企业自用)、LED 芯片 393.4 亿颗的生产能力。三期项目达产后，华灿苏州公司将合计实现外延片年产能114.7万片(折合4英寸)，芯片产能 636.2 亿颗。
业内人士认为，在现有产能基础上继续投资11.8亿投建三期项目，将显著扩增公司的整体产能，后续的产能化是公司健康发展的关键。
目前 LED 外延芯片行业虽然产品售价跌幅趋稳，但是短期内再次出现市场价格非理性竞争的可能还是无法完全避免的，因此，公司还将面临着产品价格持续下降导致的盈利能力下降的风险。通过扩增生产规模，产品销售分部在多个细分市场，减少在单一市场受到全面价格下跌的冲击风险。
同时，扩大显示屏市场的现有的优势地位，通过引领产品的更新换代步伐避免与竞争对手发生简单的价格竞争。此外，在白光产品领域，通过提升研发水平，使更多产品进入国际主流市场，避免与国内竞争对手发生恶性价格竞争。这些举措，都有赖于公司及其子公司通过扩大规模、降低成本，有效增加市场话语权才能得以顺利实施。
