11月6日，第十一届中国国际半导体照明展览会暨论坛(SSLCHINA2014)之“芯片、器件、封装与模组技术(Ⅰ)”技术分会在广州广交会威斯汀酒店举行，会上，中科院半导体所半导体照明研发中心副教授刘志强做了题为“固态照明的挑战”的报告，分享了针对GaN LED Efficiency Droop和p型掺杂、低维结构的研究进展。
中科院半导体所半导体照明研发中心副教授 刘志强
经过十多年的发展，LED的发光效率已经取得了长足的进步，但是距离理论极限值还是比较远，在很长一段时间高效率、低成本以及高可靠性都是半导体照明需要努力的方向，而这些方向背后又有几大面临的技术难题。包括droop效应(随着电流密度的增加，LED的发光效率会逐步衰减)、p型掺杂等问题。其中从2010年开始，业内关于Droop效应的讨论呈现了爆发式的增长。而研究发现，Droop效应和材料里面的缺陷密度相关。刘志强表示，在研究基础，研究团队提出了一些模型来解释该现象。
从2004年开始，低维结构一直是氮化镓LED和的研究热点，而这主要是由于低维结构本身的特点来决定的。随着材料维度的降低，LED更容易发光。此外，由于低维结构，可以大大减少材料中的曲线密度。相信随着维度进一步降低，LED的发光效率会进一步增加。
