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【SSLCHINA 2014】华灿光电副总裁王江波:高效率LED关键技术进展

放大字体  缩小字体 发布日期:2014-11-06 来源:中国半导体照明网浏览次数:20

相比2012,2013年LED在整个照明市场的占比已经有了明显的提高。在照明产品出口中,LED照明所占的比例也在增加。从应用领域来看,背光、显示会有比较稳定的增长,LED照明也是不断增长。中国LED市场的发展也非常迅速。不过在应用及市场发展的背景下,LED技术在不断提升的同时也面临不少挑战。

华灿光电股份有限公司副总裁 王江波

11月6日,第十一届中国国际半导体照明展览会暨论坛(SSLCHINA2014)之“芯片、器件、封装与模组技术(Ⅰ)”技术分会上,华灿光电股份有限公司副总裁王江波介绍了“高效率LED关键技术进展”,和与会代表分享了应对效率下降(Efficiency Droop)、以及高压LED、倒装芯片等方面的研究成果。

高效LED涉及到材料、芯片制程、荧光粉等几个环节。谈到LED的效率,如何解决Droop效应是业内关注的问题,王江波指出,要解决Droop效应问题,需要对外延材料做研究,华灿光电在外延方向做了一系列研究,通过优化,改善Droop效应。

成本依旧是业内关注的话题,王江波表示,在LED灯具成本中,芯片所占的比例并不大,目前研究降低LED灯具的成本,主要是研究降低系统成本。而在降低系统成本的方案中,高压LED是选择之一。

提高LED芯片的出光效率是行业的努力方向之一,目前铟锡氧化物(ITO)薄膜应用广泛,ITO技术工艺比较成熟,可以实现很好的欧姆接触,但是价格比较昂贵。相比ITO,GZO的价格比较低,同时无毒,但是如何实现比较好的欧姆接触,如何保证它很好的信赖性是透明电极研究的重点。

 
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