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高功率的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)因其应用广泛而吸引了业内相当多的关注，在一些需要大功率照明的领域，如汽车照明、室内、室外以及路灯等方面都已经有高功率LED的渗透。
究其原因，仍然是由于高功率LED的光效高、寿命长且节能。然而，为了满足高功率密度照明的要求，LED需要以高输入电流驱动以获得高的输出功率。由此，也会造成大量热量聚集。但氮化镓LED使用蓝宝石衬底其导热性较差(约35 W / mK)，较差的导热性将导致LED光效水平降低，因此热管理也是氮化镓LED最需要解决的问题之一。
在11月6日下午举行的P203可靠性与热管理技术分会上，来自台湾大叶大学的武东星教授发表了题为《两种有效解决大功率LED热管理的封装结构》的报告。
台湾大叶大学 武东星教授
武东星表示，随着固态照明演进至此，以LED 取代传统白炽灯泡的瓶颈主要仍在光效率的提升和有效的散热管理等方面，此次武东星提出了两种解决高功率LED芯片的构装方法来有效的进行热管理与降低热阻，分别是可应用于传统蓝宝石基板的LED芯片上之掩埋式铜光杯(Embedded Copper Cup)封装结构;以及可应用于硅基板氮化镓薄膜型LED芯片之薄膜封装技术(Thin Fim Packaging)。
其中，铜光杯封装结构主要是利用自我对准以及复合物金属电镀技术，加上反射光杯的镀膜，研制出高散热以及高取光的LED封装结构。
武东星表示，目前其研究方向仍然集中于针对铜光杯的结构进行优化，进行LED的铜光杯封装研究，在多芯片 LED的实验结果显示，光输出功率有良好的表现。从5x5的芯片阵列封装可显示，经由掩埋式铜光杯的封装结构，其热阻可有效地由1.3 K/W减低至0.6K/W。
另一种薄膜式封装则是利用雷射剥离技术(laser liftoff)，将LED外延薄膜鉴合黏贴在穿孔(TSV)硅基板之上，本报告中使用高透光的ITO膜取代传统的N 型GaN电极，重新设计了一种低遮光的N 型GaN电极结构，可避免电流集中效应，在大电流注入下可改善droop效应，并可有效的降低芯片表面温度;创新的薄膜 LED设计，可以大幅降低45 mil的芯片热阻至1.65 K/W，并且可在4.6 A的高电流注入下操作，实现在小面积内达到高功率输出，且均匀又准直的投射光源，非常适合应用于特殊场域。
