以SiC为代表的第三代宽禁带半导体技术在LED半导体照明领域获得重要应用之后，不断取得新突破，成功拓展其在新一代电力电子领域应用。
科锐(Nasdaq: CREE)SiC基MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)技术获得显著提升，能够在1700V电压下工作，开关损耗仅为采用传统Si基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的1/6，在实现高性能的同时还能减少配套零部件的物料成本，从而在系统层面显著节约开支，可完全颠覆电源转换领域现有规则，开启更多令人振奋的设计选项。
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2014年1月15日，美国政府正式宣布全力支持以SiC为代表的第三代宽禁带半导体，旨在引领针对下一代电力电子的制造业创新。计划在未来的5年里，通过使以SiC为代表的第三代宽禁带半导体技术拥有当前Si基电力电子技术的成本竞争力，实现下一代节能高效大功率电力电子芯片和器件，从而引领包括消费类电子、工业设备、通讯、清洁能源等在内的多个全球最大规模、最快增长速度的产业市场，全面提升国际竞争力并创造高薪就业机会。
2014年11月7日，国家科技部曹健林副部长在第十一届中国国际半导体照明论坛主题报告“开放创新融合-科技大跨界时代的产业发展”中指出： 从诺贝尔物理奖的半导体技术分布来看，未来将是第三代半导体，是整个业界努力的一个方向。第三代半导体技术将在能源、节能减排、国防安全、新一代信息技术和人类生活等各个方面产生巨大的影响。第三代半导体，是解决低碳、智能、绿色发展的突破口。第三代半导体，将引领下一代技术和应用的战略变革。
以SiC为代表的第三代宽禁带半导体，能够在更高温度和更高电压及频率的环境下正常工作，同时消耗更少的电力、具有更强的持久性和可靠性，这将为下一代拥有更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品(包括个人电子设备、电动汽车、可再生能源联网、工业规模的变速驱动电机、更智能化及更灵活的电网、移动信息大数据时代服务器网络等)提供飞跃的机遇。
在LED半导体照明领域，SiC技术同样发挥了重要影响和引领作用。SiC衬底，有效地解决了衬底材料与GaN的晶格匹配度问题，减少了缺陷和位错，更高的电光转换效率从根本上带来更多的出光和更少的散热。科锐开创性的SC5技术平台和超大功率XHP LED器件基于业界最强的SiC技术，在LED外延结构和芯片架构方面实现了诸多重要技术提升，并且开发出经过优化设计的先进光转换系统以实现最佳散热性能和光学性能，并且使得系统层面的光学、电学、热学、机械学成本大幅降低。
