2015年1月9日，2014年度国家科技奖励大会在北京人民大会堂隆重召开。党和国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并为获奖代表颁奖。国务院总理李克强代表党中央、国务院在大会上讲话，国务院副总理刘延东在会上宣读《国务院关于2014年度国家科学技术奖励的决定》。著名核物理学家、“两弹一星”功勋、氢弹之父于敏院士获2014年度国家最高科学技术奖。
据了解，2014年度国家科学技术奖励分为2014年度国家最高科学技术奖、2014年度国家自然科学奖、2014年度国家技术发明奖、2014年度国家科学技术进步奖以及颁发给外国人的国际科学技术合作奖。此次国家科学技术奖励共授奖318项成果、8位科技专家和1个外国组织。
其中，在半导体照明行业共有两大项目获得国家技术发明二等奖，其一、中国科学院推荐的“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”;二、中国科协推荐的“调控光线行为的三维自由光学曲面构建及其在半导体照明中的应用”。同时，在半导体装备方面也有广东省推荐的“半导体器件后封装核心装备关键技术与应用”摘得2014年度国家科技进步奖创新团队奖。
国家技术发明二等奖资料如下：
1、低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术
主要完成人：李晋闽(中国科学院半导体研究所)，王国宏(扬州中科半导体照明有限公司)，王军喜(中国科学院半导体研究所)，伊晓燕(中国科学院半导体研究所)，刘志强(中国科学院半导体研究所)，戚运东(湘能华磊光电股份有限公司)
推荐单位：中国科学院
2、调控光线行为的三维自由光学曲面构建及其在半导体照明中的应用
主要完成人：罗 毅(清华大学)，钱可元(清华大学)，韩彦军(清华大学)，李旭亮(东莞勤上光电股份有限公司)，李洪涛(清华大学)，祝炳忠(东莞勤上光电股份有限公司)
推荐单位：中国科协
2014年度国家科技进步奖创新团队奖资料如下：
1、半导体器件后封装核心装备关键技术与应用
主要完成人：陈 新，吴 宏，高 健，高云峰，杨志军，刘冠峰，吴小洪，李克天，陈克胜，程逸良
主要完成单位：广东工业大学，固高科技(深圳)有限公司，深圳市大族激光科技股份有限公司，广州半导体器件有限公司
推荐单位：广东省
据了解，在国家技术发明二等奖获奖中，“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术”是中科院半导体研究所自主研发，并拥有自主知识产权的核心技术。此前，中科院半导体所针对该技术还曾在科技日报发起过专利维权。
据中科院半导体研究所研发中心副主任王军喜介绍，“我们在国际上首创的全光谱的光贴膜技术，经过国家计量院和工信部中心的检测，都是目前国际上最好的指标。所以，我们综合这些指标和技术也申报了今年国家技术发明一等奖，一等奖竞争很激烈，所以最终获得国家技术发明二等奖。”
此次，中科院半导体所及有关能够在半导体照明领域荣获国家科技大奖，对于我国半导体照明产业来说是一件具有里程碑意义。因为，在过去的十年中，我国半导体照明产业从最初的几十亿的产业规模，发展到2014年产业整体规模的3507亿元人民币。十年来，我国半导体照明产业取得了长足发展，这十年是成果卓著、跨越发展的十年。我国的半导体照明产业已初具规模，形成了相对完整的产业链，且产业集聚初步形成，一批骨干企业正在茁壮成长，产业发展的关键技术与国际水平差距逐步缩小，示范应用已居于世界前列，功能性照明市场正在逐步开启。中国的半导体照明产业已成为全球照明产业变革中转型升级发展最快的区域之一，具备了由大变强的发展基础。
并且，以半导体照明相关三项技术获的国家科技大奖为契机，也一定会带动产业更快的向前发展。同时，随着我国半导体照明关键技术与国际水平差距不断缩小，一批又一批的拥有我国自主知识产权的核心技术加速转化、并顺利实现产业化，势必将加速推动我国半导体产业的发展。
