近年来，随着半导体照明产业的迅猛发展以及LED技术及产品的广泛应用，支撑LED光电器件的核心材料氮化镓(GaN)以及碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料技术及应用正在成为全球半导体产业新的战略高地。
2015年4月22日，“北京市科委与顺义区政府共同推进全国科技创新中心建设工作会”在北京市科委召开。科技部高新司副司长曹国英、市科委主任闫傲霜、顺义区区长、天竺综保区管委会主任卢映川、国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲等出席了会议，会议由市科委委员刘晖主持。京津冀三地的相关政府、行业组织、企业、研究机构及新闻媒体代表等一百余人参加了此次会议。
签约现场
作为北京全国科技创新建设、京津冀协同创新合作的一项重要工作，启动“北京第三代半导体材料及应用联合创新基地”建设成为本次工作会的一项主要内容。北京市科委、顺义区政府以及国家半导体照明工程研发及产业联盟共同签署了《北京第三代半导体材料及应用联合创新基地建设战略合作协议》;联合创新基地的运营主体——北京国联万众半导体科技创新中心与天津半导体光源系统产业技术创新战略联盟、中国电谷(河北)第三代半导体产业技术创新战略联盟三方签署了《第三代半导体材料及应用联合创新基地“京津冀”共建合作协议》。
国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲
国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲在讲话中指出，第三代半导体材料是以低碳和智能为特征的现代人类信息化社会发展的基石。是推动节能减排、转变经济发展方式，提升新一代信息技术的核心竞争力的决定性因素之一;在信息、能源、交通、国防等领域有不可替代的支撑作用。
吴玲表示，第三代半导体材料及应用联合创新基地将建设“两个平台、一个基金”，即开放的国际化的公共研发平台、创业加速孵化科技服务平台以及一个投资基金。在北京市科委、顺义区政府的支持下，首都科技集团、北京顺义科创集团、金沙江创业投资管理有限公司、北京半导体照明科技促进中心以及企业共同商议，决定以“PPP”模式共同出资共建联合创新基地。各发起方共同成立了北京国联万众半导体科技创新中心，该中心在全球范围内整合资源，并在全国形成主平台、全体系、小核心、大网络的第三代半导体材料与应用联合创新的格局。此外，在京津冀协同创新合作中，中心将与天津半导体光源系统产业技术创新战略联盟、中国电谷(河北)第三代半导体产业技术创新战略联盟为代表的“产学研”各界，跨区域共建“京津冀”联合创新基地;同时，我们还将依托首都创新大联盟的平台，开展跨领域共建联合创新基地。
科技部高新司副司长曹国英
科技部高新司副司长曹国英表示，第三代半导体材料已经显示出顺应时代发展的趋势，并将重塑格局。现在而言第三代半导体已经不是做与不做的问题，而是如何做的问题。所以第三代半导体联合创新基地的建设对促进产业的发展具有十分积极的作用，科技部高新司会持续支持第三代半导体的建设以及基地的发展。
北京市科委主任闫傲霜
北京市科委主任闫傲霜在讲话中指出，北京聚集着大量优质科技资源，创新活动十分活跃。建设第三代半导体材料及应用联合创新基地，既是国家级的重要战略部署，也是北京作为全球科技创新中心的一项重要的决策。我们应进一步整合资源，全力推进基地建设发展，争取更多更宽的国家政策支持，找好着力点，全力营造良好的市场发展环境，聚集一批研发、服务、知识产权评估、金融、科技中介服务机构和科技服务平台、创新服务模式、科技服务架起供需双方的沟通桥梁，进一步盘活市场资源，研究好市场化管理机制，放手运营主体市场化行为，深化国际交流与合作，发挥聚集辐射效益，引领经济发展。
顺义区区长、天竺综保区委员会主任卢映川
最后顺义区区长、天竺综保区委员会主任卢映川表示，顺义区及天竺综保区将努力创造良好的发展环境为第三代半导体产业的发展提供良好的硬件和软件保障。同时将积极提供从资金、政策、产业配套等全套服务体系推动基地的建设与发展。
北京第三代半导体材料及应用联合创新基地承载了第三代半导体产业的全球创新策源地、人才集聚地、技术辐射地、创业成功地的使命与责任。将通过汇聚全球创新创业人才，整合政府、行业、研究机构和社会资本等资源要素，以体制机制创新的、专业化、市场化、国际化的运营方式打造第三代半导体的开放式创业生态系统。打造“搭平台、聚人才、接任务、出成果”的典范，立足北京、辐射全国、引领产业发展的新格局。
