2015年8月31日，第十一届国际氮化物半导体学术研讨会（2015 11th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-11）在北京开幕。国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲和联盟研发执行主席李晋闽受邀出席，并与大会演讲嘉宾就第三代半导体材料发展进行深入交流。
第十一届国际氮化物半导体学术研讨会现场
据了解，ICNS会议是全球氮化物半导体研究最主要的学术研讨会，每两年在世界各国轮流举办一次，会议涵盖了氮化物系列半导体材料的晶体生长与外延、器件制造与性能、新结构与物理机理、仿真与分析等领域。
今年的会议设在在北京召开，会议为期五天（8月30日至9月4日），吸引了世界各国从事氮化物半导体研究的顶尖团队和研究人员参加（国际上做氮化物的基本都来了，据说因为阅兵，日本的很多没来）。本次会议官方注册代表680多人，记者现场观察参会人员有千人之多。并且，会场外走廊里设有小型展区，近30家机构参与设展。
8月31日上午共有三个大会报告：第一位：诺贝尔物理学奖得主天野浩（Hiroshi Amano）带来《用LED点亮地球》主题报告；第二位：诺贝尔物理学奖得主中村修二（Shuji Nakamura）带来《InGaN基双异质结构高亮度蓝光LED进展及未来照明》 主题报告；第三位：詹姆斯·史派克（James Speck）带来《理解效率极限与GaN基LED内部机制》。
国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲(第一排左一)和联盟研发执行主席李晋闽（第二排右二）受邀出席第十一届国际氮化物半导体学术研讨会，与诺贝尔物理学奖得主天野浩（Hiroshi Amano）、中村修二（Shuji Nakamura）及业界专家交流后合影。
作为北京全国科技创新建设、京津冀协同创新合作的一项重要工作，2015年4月22日，北京市科委、顺义区政府以及国家半导体照明工程研发及产业联盟共同签署了《北京第三代半导体材料及应用联合创新基地建设战略合作协议》，由首都科技集团、北京顺义科创集团、金沙江创业投资管理有限公司、北京半导体照明科技促进中心以及企业以“PPP”模式共同出资共建北京第三代半导体材料及应用联合创新基地(下简称“联合创新基地”)，也得到了科技部及各方的支持。协议签署一个月以来，基地重点推动研发平台和服务平台的建设，吸引荷兰代尔夫特理工大学与基地共建中国研究院，以国际一流的技术和人才支撑基地发展。同时为加速科技成果的孵化转化，基地的服务平台重点建设第三代半导体联合创新创业孵化中心，支撑大众创新万众创业。
国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲作为北京第三代半导体材料及应用联合创新基地共建方代表介绍了联合创新基地的建设进展，经过各方的努力已经初步完成了基地两个平台+一个基金“2+1”的顶层设计，基本形成了京津冀协同创新，以及依托首都创新大联盟开展跨界创新的共识，正在逐步建立南北呼应的主平台，研发与产业化的全体系，重点突破的小核心，以及全球开放的协同创新大格局的第三代半导体材料联合创新的格局。作为一个全球开放创新平台的重要组成部分，荷兰代尔夫特理工大学将重点围绕电子工程、航空航天、能源工程方面参与平台建设。同时，我们还将引入国内优势互补的研发机构，要探索市场导向，企业为主体，多元投资，开放共享的研发模式。采取盘活各类研发与市场资源，运用市场化的管理机制深入合作，真正做到形成北京作为全国科技创新的凝聚辐射效应，也能够为顺义区结构调整、创新发展做出贡献。随着“大众创新、万众创业”如雨后春笋般的蓬勃发展，作为有显著低碳智能化技术特征的第三代半导体技术，是支撑创新创业的技术源泉。以联盟牵头建设孵化器有它自身的特点，一是在技术方面拥有原创性的技术、专利以及中试产业化平台;二是联盟企业的市场渠道与应用需求。三是有产业基金、VC、上市公司以及全产业链的金融服务支撑平台的服务。我们要建设以市场为导向、平台技术与金融服务支撑、产业化出口的支撑中关村大街众创空间的一个孵化器。大家已经看到了第三代半导体材料已经显现出顺应时代发展的趋势，第三代半导体材料及应用联合创新基地将承载着滋育人才、创新发展、重塑世界格局的使命。
