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全国产化激光分子束外延设备(L-MBE)研制成功

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-09-18 来源:中国半导体照明网浏览次数:513
   中国半导体照明网讯:钙钛矿氧化物材料作为一种新兴的半导体材料,近年来受到人们的广泛关注,尤其是高温超导和巨磁电阻现象的发现,在世界范围内掀起了钙钛矿氧化物材料的研究热潮,在材料方面和相关理论研究方面,都取得了很大的进展。
 
  山西春明激光科技有限公司与中国科学院半导体研究所、中国科学院物理研究所共同承担了863计划“钛酸锶与铝酸镧薄膜制备技术及器件开发”课题,课题于2015年9月16日通过了科技部组织的中期现场检查。
 
  课题组联合攻关,突破L-MBE设备用大脉冲能量激光器关键技术,实现了高能量的紫外脉冲激光器,体积仅为进口激光器的1/3,脉冲稳定性和脉冲宽度优于进口激光器,并将其成功集成的自主研制的外延腔中,实现了全国产化的激光L-MBE设备,并初步实现高质量钙钛矿氧化物薄膜材料的生长。从根本上打破国内宽禁带半导体行业发展依赖于进口设备的局面,这将会促进我国宽禁带半导体材料的快速发展,也是我国宽禁带半导体材料实现创新跨越发展的必然趋势。
  图1 自主研发激光器与进口激光器体积比较
  图2 自主研制L-MBE设备
  图3 中期检查汇报现场
 
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