中国半导体照明网讯：发展绿光LED及其他光谱LED技术，对缓解“绿光鸿沟”问题，实现高品质全光谱灯具，显著提升照明产品发光品质具有重要意义。
华南理工大学联合中科院半导体所、杭州士兰明芯等单位，产学研合作，共同开展高In组分氮化物材料制备技术研究。
中期检查现场报告会
课题组在InGaN生长、AlInN三元合金混溶隙研究、半极性InGaN薄膜制备及绿光LED外延生长及数值模拟等方面取得了一系列进展，探索了反应室温度、压力、流量等工艺条件对InGaN薄膜的铟组分、面内应力等参数的影响，设计了新型绿光LED结构并数值计算了绿光LED的内量子效率、载流子浓度分布以及自发辐射复合速率分布等参数，在此基础上，生长出InGaN材料，并制备出绿光LED器件,为完成课题的任务指标奠定良好的基础。
