课题组在降低大尺寸Si衬底上生长GaN薄膜的位错密度、均匀性和整片外延的翘曲度，提升GaN薄膜质量方面取得了系列进展，同时对提高GaN器件性能等面做了系统的工艺探索工作，为最终完成课题任务指标打下了很好的基础。迄今，该课题8英寸Si衬底上生长的GaN薄膜的厚度为3微米，8英寸外延片的整片翘曲度小于50微米，GaN薄膜位错密度达到1×108 cm-2，（002）XRD扫描半高宽低于350 arcsec，（102）XRD扫描半高宽低于400 arcsec；所制作的HEMT迁移率达到2200 cm2/Vs，载流子面密度达到9e12/cm2，方块电阻达到300Ω/sq。
中国半导体照明网讯：由江西省昌大光电科技有限公司承担863计划“高频高功率电子器件用大尺寸Si衬底GaN基外延材料生长技术”课题,通过一年多的努力，取得了阶段性的成果，2015年9月15日，顺利通过了由第三代半导体材料项目管理办公室组织的课题中期检查。
