11月3日上午，为期三天的第十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2015）在深圳会展中心隆重举行了开幕式。这是论坛告别深圳五年后，再次荣耀归来。论坛紧扣时代发展脉搏与产业发展趋势，以“互联时代的LED+”为大会主题，探讨产业发展大势。
论坛期间举办的各类同期活动更可谓是一场场思想碰撞的精神盛宴。
3日下午，在论坛隆重召开之际，2015中国国际第三代半导体技术与应用高峰论坛在深圳会展中心五层玫瑰厅-1如期举行，来自与第三代半导体相关的科研院所、研发机构、大专院校、龙头企业等代表也如约而至，共同探讨第三代半导体发展、技术前沿与应用趋势，为抢占国际半导体领域战略制高点献计献策。
北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心副主任沈波；香港科技大学教授陈敬教授共同主次了本次论坛。
北京大学物理学院杨学林
北京大学物理学院杨学林做了“采用较大晶格失配引致应力控制技术在Si衬底生长高迁移率AlGaN/GaN异质结”主题报告。
他表示，在目前的工作中，在低铝含量AlGaN层上采用较大晶格失配引致应力控制技术在4英寸Si衬底上生长高质量GaN层。应用该技术可实现高迁移率AlGaN/GaN异质结，在单电荷密度为8.4×1012 cm-2下电子迁移率为2040cm2 /(V·s)。研究结果为低成本高性能的硅基氮化镓功率器件的制造提供很大的潜在可能性。
