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【SSLCHINA 2015】从“芯”出发,“封”芒毕露--SSLCHINA2015芯片、器件、封装与模组技术分会II在深圳召开

放大字体  缩小字体 发布日期:2015-11-09 来源:中国半导体照明网作者:陈关升浏览次数:1506
   中国半导体照明网讯:半导体照明产业发展日新月异,技术也在不断更新迭代中加速向前。受到“互联网+”大背景的影响,智能照明成为半导体照明新的发展方向。那么,随着产业及市场的不断成熟,经过行业人士不断努力,从芯片、器件、封装、模组各环节技术有何新进展?

会议现场
 
  2015年11月4日上午,在第十二届中国国际半导体照明论坛同期举行由国家半导体照明工程研发及产业联盟主办,木林森股份有限公司、华灿光电股份有限公司、欧司朗(中国)照明有限公司、上海科锐光电发展有限公司、普瑞光电股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、北京康美特科技有限公司、广东德豪润达电气股份有限公司的鼎力协办的“芯片、器件、封装与模组技术分会II”在深圳会展中心隆重举行。
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挪威科技大学教授、挪威科学院院士Helge Weman先生
 
  来自挪威科技大学教授、挪威科学院院士Helge Weman先生首先分享了《高效率深紫外LED的GaN/AlGaN奈米结构在石墨烯选择性区域的生长》技术报告。Helge Weman先生表示,对于深紫外LED来说,AlGaN奈米结构在石墨烯选择性区域的生长能够带给现有的AlGaN薄膜技术以真正的优势。石墨烯的优势在于既能在深紫外中用作透明电极(与ITO对比),又能在AlGaN生长中用作近似晶格匹配外延衬底。通过在掩膜图案石墨烯选择性区域上生长AlGaN奈米结构,将能够获得无错位的AlGaN奈米结构。
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华灿光电股份有限公司副总裁 王江波
 
  对于芯片技术的革新,LED芯片大厂的嗅觉往往最为灵敏。来自华灿光电股份有限公司副总裁王江波则分享了《PVD AlN缓冲器在GaN基LED晶片的应用》技术报告。他表示,物理气相沉淀(PVD)AlN缓冲器被用于GaN基LED在4英寸图形化衬底(PSS)上的生产。采用X射线衍射、AFM和椭圆计对4英寸蓝宝石平面上的PVD AlN薄膜性质进行分析。与MOCVD GaN缓冲器生长的传统LED相比,MOCVD在4英寸PSS上采用PVD AlN缓冲器生长的GaN基LED表现出具备光滑的表面形态、更高的反向电压、更好的ESD产出及更大吞吐量等优势。
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杭州远方光电信息股份有限公司光学科学研究所副所长 刘腾海
 
  来自杭州远方光电信息股份有限公司光学科学研究所副所长刘腾海分享了《关于LED测量和合格评定国际标准的革命和解决方案》技术报告;易美芯光科技有限公司芯片研发副总裁朱皓分享了《采用蓝宝石激光剥离封装与制造的垂直结构UVLED器件》。
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易美芯光科技有限公司芯片研发副总裁 朱皓
 
  其中,易美芯光科技有限公司芯片研发副总裁朱皓在报告介绍了一种垂直结构UV LED器件的设计、制造与封装。激光剥离(LLO)法被用于制造45mil x 45mil的LED,从而能够从外延上去除蓝宝石衬底和吸收性GaN层。通过这种方法能够最小化外延的紫外光吸收,从而大幅提升器件的功效。为实现更高效率UVA芯片的LLO工艺,器件性能与测试结果。此外,还探讨了UV条件下的封装技术和失效机制。
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晶元光电股份有限公司研发中心创新应用群协理 许嘉良
 
  紧接着,晶元光电股份有限公司研发中心创新应用群协理许嘉良分享了《LED芯片级封装设计》报告,全面分析了CSP(芯片级封装)技术在LED应用趋势。晶元光电公司的中、低功率LED芯片和COB(板上芯片)器件的出货量开始大大增加,公司CSP(芯片级封装)倒装芯片LED器件的需求将于2016年逐渐开始增加。
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亮锐商贸(上海)有限公司 张艳军博士
  与此同时,半导体照明企业过去主要关注的是如何开发和生产好一个个独立的产品,但是现在要开始把更多的注意力放在集成化的应用上了,比如系统的整合性,工程的设计应用、智能控制等。因为一个系统级的解决方案与单个灯具产品的应用有着巨大差别,尤其是在生命周期比较长或使用环境比较恶劣的条件下。亮锐商贸(上海)有限公司张艳军博士分享了《LED系统整合的趋势和挑战》主题报告,给互联时代的LED+带来了新的思考。
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广东德豪润达电气股份有限公司芯片副总裁、博士 莫庆伟
 
  广东德豪润达电气股份有限公司芯片副总裁、博士莫庆伟分享了《精于芯,简于形--LED芯片及封装技术发展趋势浅议》报告;他认为,简化工艺流程,减少人工犯错。比如CSP产品简化了封装流程,带来成本的降低质量的提高,未来围绕CSP生态系统将会产生越来越多的方案。
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中国科学院半导体研究所半导体照明技术研发中心 王钦金
 
  最后,来自中国科学院半导体研究所半导体照明技术研发中心王钦金分享了《颠覆性创新的化学镀银GaN P-型反射电极》报告。他首先介绍了一种采用化学镀银(ESP)法在GaN上构造p-电极的新方法。他表示,在实验中采用化学湿选法来获得优越的反射电极,该方法使金属盐降解并在表面形成银色金属层。光致发光结果表明VLED上的ESP样品在激光剥离后在光学性能上有显著提升,比20mA正向电流下VLED上的EB样品光输出高出26.4%。与电子束沉积或溅射技术相比,该方法有着特别的优势,如程序简洁、电自由、设备成本低、涂层时间短及生产规模大等,由此表明采用化学镀银构造p-型反射器这一方法有潜力取代或颠覆GaN基LED。
 
  至此,SSLCHINA2015芯片、器件、封装与模组技术分会II到此结束,更多详情期待后续报道。
 
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