《LED器件与工艺技术》
主 编：郭伟玲
副 主 编：钱可元 王军喜
编 委：孟治国 王 巍 周党培 王 宁 周永明
电子工业出版社出版
主编寄语：
《LED器件与工艺技术》的编写凝聚了多位领域专家的智慧，得到了半导体照明联盟的大力支持，期望教材能够抛砖引玉，读者通过阅读教材来提高自身知识水平，企业通过利用该教材培训出更多高能力的半导体照明领域专业人才。
本书特色
教材致力于解决国内目前在LED外延和芯片领域缺乏系统全面的本科和研究生教材的问题，同时解决了目前LED外延和芯片企业研发人员的参考书问题。本书涵盖了GaN和 AlGaInP两大材料系，全色系列LED的发展历史、最新研究技术和产品实例，既有LED外延、芯片和封装的基本理论基础，又有实际器件结构设计和工艺技术实例，侧重于器件设计和研发创新。目前市面上的LED相关教材主要集中在下游应用方面，本教材与市面现有教材相比，填补了上游外延和芯片技术领域缺乏系统全面参考书的空白。本书虽然是基于GaN LED技术，但对于目前第三代半导体中基于GaN 材料的电力电子技术也有重要的参考意义，因为其中的材料外延技术、芯片工艺技术都是可以借鉴的。
内容提要
本书以LED外延和芯片技术为重点，结合LED外延结构设计方法，贴近LED芯片结构的制造工艺技术，给出了完整的LED从外延生长、芯片制备和封装技术的知识体系。
全书包括三个部分。第一部分是外延技术部分，包括LED材料外延生长技术原理和设备、半导体材料检测技术、蓝绿光LED外延结构设计与制备、黄红光LED外延结构设计与制备，从外延和检测设备到LED外延结构及外延生长技术进行了全面介绍。第二部分是芯片技术部分，包括LED芯片结构及制备工艺、蓝绿光LED芯片高光提取技术、红黄光LED芯片结构设计与制备工艺，从LED芯片制备基本工艺技术到整体工艺流程、以及先进的高光效结构设计，涵盖了GaN和AlGaInP两个材料系的芯片结构特性及制备过程，介绍了高压LED结构及制备技术。第三部分是LED封装技术, 从封装的目的、光学设计和热学设计方面对封装技术进行了介绍。
本书题材新颖，论述深入浅出，注重理论与实践相结合，可作为本科院校相关专业本科高年级学生和研究生的教材和参考书，也可作为外延和芯片企业工艺操作人员的培训参考资料，也可供有关工程技术人员参考。
