与激光剥离技术相比，上海芯元基的化学剥离技术具有以下特征：一：工艺简单，成本低，适合大规模量产；二、避免了激光剥离过程中激光能量和冲击对外延层的损伤；三、结合MEMS技术，先剥离，再键合，彻底释放器件外延结构中的应力。
据了解，上海芯元基由以郝茂盛博士为核心的LED行业资深专家于2014年10月创建，公司专注于具有自主知识产权和巨大产业前景的第三代半导体（GaN）材料和高端薄膜结构LED芯片的研发和量产，已经完成了从生长衬底、外延技术、芯片工艺、到器件封装全产业链的专利布局，打破了国际巨头对GaN基电子器件和薄膜结构LED芯片的技术垄断，对发展我国第三代半导体材料技术意义重大。
