专利量：中国最多约占56%
根据发布的《紫外LED专利技术分析报告——外延芯片、封装器件篇》显示，从专利区域构成上来看，近200 份有关紫外LED 外延、芯片和器件封装领域的相关专利中，专利数量最多的是中国地区，约占总数的56%；其次是美国地区，台湾和日本，韩国在这一领域也具有相当的优势。而且这些专利中，世界专利的申请占到了约10%，说明对这些专利，申请人都比较重视，相当比例的申请进行了全球专利布局。
图1专利区域构成分析
从申请趋势上看，该报告显示，从1998 年开始，紫外LED的申请量逐年增加，目前处于高速发展阶段。这与这一领域的技术发展趋势是一致的。1998 年，一种InGaN/A1InGaN MQW 结构的紫外LED 芯片在美国Sandia 国家实验室由Mary H. Crawford 课题组研制出来。该芯片辐射峰值波长为386 nm，辐射功率大于1 mW，开启了新一代短波长紫外光领域的大门。此后众多研究者致力于此，在外延层质量、p 型掺杂、欧姆接触、光学设计等关键工艺水平方面都取得了很大的提高。2014 和2015 年申请量下降的原因，应该是由于很多申请还是处于未公开阶段。
图2专利申请总体趋势
申请量：中科院半导体研究所取胜
对申请人进行分析发现，申请量最多的是中国中科院的半导体研究所，而且居于前几位的都是来自中国的申请人，国外申请量靠前的有首尔半导体、NITEK、CREE等，国内进入前列的申请人以科研机构和大学比较多，企业有青岛杰生和武汉光电技术研究院有限公司。
说明中国在此领域也掌握了一定的核心技术，在某些领域可以和国外企业技术相当或者领先，但是中国企业在此领域的研发能力，技术实力还具有一定差距，有待提高，可以引导和鼓励产学研结合，促进中国科研院所和大学技术的向企业转移，促使企业在此领域的技术水平的提高。
图3.主要申请人分析【备注：首尔半导体包括：Seoul Viosys CO.，LTD（首尔伟傲世有限公司）；SEOUL OPTODEVICE CO. LTD（首尔OPTO仪器股份有限公司）】
国内类型：80%以上属于发明专利
另外，报告中显示，在国内申请的专利类型上，80%以上属于发明，说明关于紫外LED领域的专利技术含量较高，专利申请以发明为主。而且PCT申请比例也不低，占到了6%。
图4国内专利类型分析
国内专利法律状态：有权专利占30%
图5内专利法律状态分析
法律状态分析表面，国内申请有近一半（46%）处于审查期，有权专利占30%，说明该领域的技术还处于技术发展期，企业近年来的研发投入不断加大。进一步细分，对不同法律状态的专利类型进行分析，表面在有权专利中，发明居多，而且PCT专利占据了近10%的比例。
无效申请主要是国内申请人申请的发明和实用新型申请。这也说明了国外申请人进入中国的PCT申请质量较高，申请人较为重视。
图6内专利法律状态分析
市场规模：2017年可达2.7亿美元
根据法国市场研究公司Yole Développement的调研报告显示，到2017年UV LED市场规模可达2.7亿美元，超过整个紫外光源市场的1/3，五年内的复合年增长率可高达43%，从而形成和紫外汞蒸气灯分庭抗礼的局面。紫外LED已经成为目前LED行业的新蓝海，日益引起投资者的兴趣，越来越多的中国企业也进入该领域，但目前中国的UV-LED企业还没有掌握核心技术，尤其是芯片、外延和器件封装领域，在增加U V-LED的光输出方面，研发不仅限于通过改变材料内的杂质数量、晶格缺陷和位错来提高内量子效率，同时，UV-LED芯片输入功率的不断提升给封装技术提出了更为严峻的挑战。如何改善管芯及内部封装结构，增强UV-LED内部产生光子出射的几率，提高光效，解决散热问题，进行取光和热流优化设计也是UV-LED研发的重要方向。
国内目前的封装形式同一，产品出光功率距离国外LED企业差距较大。未来LED要大规模应用，单个器件的功率必然要增大，输入功率的增大给封装技术提出了更高的挑战，必须采用新的封装形式与封装理念。
