第三代半导体联盟与TD联盟签署战略合作协议

 

　　随着国务院印发《“宽带中国”战略及实施方案》，信息消费已成为我国备受瞩目的热点话题。经过多年的发展，互联网已经成为了国民经济发展的创新引擎，下一代网络发展的关键是带宽问题，只有实现高速宽带，下一代互联网、新一代移动通信、物联网、云计算才可能得到大发展。第三代半导体材料正是在这样的背景下迅速发展起来的新型半导体材料。它具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
 

 

　　2016年1月19日下午，第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“第三代半导体联盟”）与TD产业技术创新战略联盟（以下简称“TD联盟”）在北京裕龙国际酒店举行了联合推动第三代半导体在通讯领域中的应用战略合作签约仪式。第三代半导体联盟理事长吴玲女士到现场参加了签约，科技部试点联盟联络组李新男秘书长见证了此次签约并做了重要讲话。
 

科技部试点联盟联络组李新男秘书长

 

　　他指出此次签约是国家试点联盟联络组尝试通过联盟的横向合作实现协同创新。联盟本身就是一种新型的技术创新组织，这种创新组织最大的特点就是通过有法律约束的契约来实现协同创新。此次签约超出了单个联盟本身的创新活动，进行了跨领域、跨行业、跨学科的合作，是联盟发展中一个非常重大的事件。在试点联盟中开展这样的活动，引导跨产业的合作是非常有意义且必要的。他希望这次签约后大家能认真履约，圆满完成合作任务，在新的形势下创造出新的协同创新模式，推动产业发展。

 

 

　　此次签约，第三代半导体联盟与TD联盟本着互惠互利、实现双赢的目标，致力于合作推动第三代半导体与新一代移动通讯在技术、产品、应用领域的融合发展，共同推动政府重大项目，并就标准、商业模式、应用推广进行合作。签约双方将利用各自的资源和条件开展长期、稳定的合作，通过资源共享、优势互补与业务创新，互惠互利、共同为客户提供更优质、更全面的智能移动宽带应用服务，推动我国新一代信息产业实现跨越式发展。

 

　　第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC和ZnO为代表的新型半导体材料，具有禁带宽度大，击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的优点，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料，正在成为全球半导体产业新的战略高地。

 

　　第三代半导体材料及器件的突破将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。美、日、欧、韩等发达国家高度重视并已部署国家计划抢占战略制高点。我国政府也十分重视第三代半导体材料与器件的研发及产业化，在政府的持续部署支持下，我国材料研发的整体水平与国际上差距不大，如在第三代半导体材料第一个产业化的应用方面--半导体照明已经在关键技术上实现突破，创新应用国际领先；在第三代半导体电子器件应用方面，在移动通讯、光伏逆变、雷达领域已有少量示范应用。

 

 

　　2015年9月9日，在国家科技部、工信部、北京市科委等支持下，由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业45家单位自愿发起筹建了“第三代半导体产业技术创新战略联盟”。联盟的目的主要是围绕产业链构建创新链，促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业群，形成全国一盘棋的发展合力，抓住换道超车的历史性机遇，形成全国一盘棋的发展合力，实现创新驱动发展，抢占在国际第三代半导体上抢占产业发展制高点，重构全球半导体产业格局。

 

　　联盟理事会邀请原科技部曹健林副部长出任顾问委员会主任，南京大学郑有炓院士为名誉理事长。郑有炓院士、北京大学甘子钊院士、中科院半导体所李树深院士、西安电子科大郝跃院士、华南理工大学曹镛院士、苏州大学李述汤院士、复旦大学许宁生院士等28位委员受聘为技术委员会专家。