2016年，三大半导体制造大厂资本开支金额预期较去年增长5.4%，其中，英特尔调升30%，达95亿美元；台积电调升17%，达95亿美元；三星则逆势调降15%，来到115亿美元。拓墣表示，今年半导体大厂的资本开支预计至2017年才有机会对营收产生贡献。
台积电
专注制程开发、深耕InFo技术
中国南京厂建置为2016年三大重点
拓墣表示，半导体三巨头中台积电是唯一的纯晶圆代工厂，与客户无直接竞争关系，可专注于制程技术的开发。
2016年台积电资本开支约70%用于先进制程的开发，其中大部分用在10纳米制程技术，可见台积电对10纳米制程研发的重视。资本开支的10%则持续投入InFO技术的开发，InFO技术有散热佳、厚度和面积缩小、成品稳定度高的优势，已有少数大客户开始投单，预期未来将有更多客户陆续投入。
为了就近服务广大的中国市场，台积电规划30亿美元用于中国南京12寸厂的建置，预期在2018年投产。今年南京厂计划先投入5亿美元，2017与2018年将增加投资力道。
三星电子
智能手机业务前景不明，
2016年半导体事业将是重心
智能手机是三星最重要的业务，在终端市场需求趋缓、手机差异化缩小的情况下，三星受到苹果与中国本土品牌的激烈竞争。根据三星财报显示，2015年营收同比衰退2.6%，净利下滑20.6%。相较智能手机，去年三星的半导体营收同比增长20%、内存年增长17%，大规模集成电路（LSI）业务则同比增长约27.7%，表现十分亮眼。
拓墣指出，2016年三星的智能手机业务拓展仍不乐观，除加速开发创新业务，将更加重视晶圆代工业务，采取积极抢单的策略。2016年三星115亿美元的资本开支中，大规模集成电路业务会维持与2015年35亿美元的相同水平。
英特尔
维持制程领先地位
扩展内存相关业务
英特尔虽然在14/16纳米制程技术开发上超车，但台积电与三星若在10纳米的技术上赶超，将使英特尔在CPU产品上面临强大的竞争压力，严重挑战英特尔自1995年来的领先地位。2016年英特尔将持续扩大资本开支以维持制程领先，相关资本开支约达80亿美元。
在数据中心的竞争中，2015年英特尔与美光联合发表包含3D-NAND与Xpoint等用于内存的技术，此外更宣布投资25亿美元把大连厂打造成内存制造厂。2016年英特尔的资本开支中约有15亿美元将投资在内存相关业务。
