当前位置: 首页 » 资讯 » 技术 » 技术前沿 » 正文

UCSB研究人员证实原子缺陷导致LED效率降低

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-04-11 来源:中国半导体照明网浏览次数:219
   【中国半导体照明网译】加州大学圣巴巴拉分校(UCSB)的研究人员已经证实LED原子结构特定类型的缺陷,导致LED性能降低。研究人员预计,这样的缺陷表征可能会导致难以生产出更有效和发光更持久的LED。

GEQRD0FUCV7RZENO))O$HT9
  UCSB的概念插图: GaN的晶格缺陷
 
  Chris Van de Walle率领研究团队开展此项工作。他说,如果LED材料存在这种缺陷,利用技术可以发现这种缺陷。这些技术可以用来提高材料的质量。不是所有创造出来的LED都是一样的。事实上,很难制造出性能和特性一模一样的LED。效率是LED最重要的特征。在原子层面上,LED的性能很大程度上依赖于半导体材料的质量。
 
  Van de Walle 说:“在LED中,从一个侧面注入电子,从另一个侧面注入电洞。”他们穿过半导体的晶格--基于氮化镓的白色LED材料。然后,电子和电洞(电子缺失)会使二极管发光。当电子遇到电洞时,它就转变为低能态,释放光子。
 
  有时,虽然电荷载体相遇,但不发光,产生所谓的肖克利读霍尔(SRH)重组。据研究人员介绍,在相遇但不发光的晶格中捕获缺陷的电荷载体,就会发生SRH重组。
 
  研究人员已证实在氧和氢存在的条件下,镓空位复合缺陷。该研究的第一作者Cyrus Dreyer 说:“这些缺陷以前在氮化物半导体观察到过,但直到现在,才明白他们产生的有害影响。”
 
  Van de Walle的合著者Audrius Alkauskas发展了理论框架,用于计算捕获电子和电洞的缺陷率。Van de Walle说:“这将我们多年认为的缺陷点与新的理论相结合,实现了突破性研究。”他们设计的方法适用于将自身于其他缺陷区别开,明确SRH复合发生的机制。
 
  他说:“这些镓空位复合物肯定不是唯一的有害缺陷,现在我们已经找到方法,我们正在积极调查其他潜在缺陷,评估其对非辐射复合的影响。”研究人员详细地介绍了他们的研究结果将在4月由应用物理快报发布[ APL 108,141101(2016)],并在杂志封面附图。
 
  这项研究由美国能源部科技办公室和欧盟玛丽·斯卡洛多斯卡·居里行动计划资助。
(杜春晓 译)
 
【版权声明】本网站所刊原创内容之著作权为「中国半导体照明网」网站所有,如需转载,请注明文章来源——中国半导体照明网;如未正确注明文章来源,任何人不得以任何形式重制、复制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部。
关键词: 原子缺陷 LED效率
 
[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
推荐图文
点击排行
关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 诚聘英才 | 广告服务 | 意见反馈 | 网站地图 | RSS订阅