如今是变化飞速的时代，在新型学科，新材料不断涌现；新技术、新产品不断出现的背景下，MOCVD技术有何新的研究进展，呈现怎样的发展趋势？又将如何继续发挥其应有的作用和巨大的发展潜力等，都是业界人士时刻关注的方向。
在新的形势下，2016年8月16-19日，第十四届全国MOCVD学术会议将在具有朝鲜族民族特色的边疆开放城市，素有“歌舞之乡”美称的延吉市举行。本届会议由中国有色金属学会主办，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟、发光学及应用国家重点实验室、应用光学国家重点实验室和半导体照明联合创新国家重点实验室等单位承办，吉林省科技厅和延边市科技局也将予以大力协助和支持。
作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十三届，规模和影响越来越大，已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。
此次大会将围绕“新形势下的MOCVD+”主题展开深入探讨，来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家，将围绕MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域展开深入交流，了解发展动态，促进相互合作，推动我国MOCVD学术研究、技术进步以及第三代半导体产业的大力发展。
目前分会组织积极推进，征文火热进行中，欢迎优秀论文投稿，主要征文内容及要求如下：
会议征文内容：
1．外延生长机理和生长动力学
2．外延结构与物性
3．光电子材料与器件
4．电子材料与器件
5．其他材料与器件
6．封装技术及封装材料
7．设备研制与开发
8. 衬底、MO源、高纯气体等基础材料
会议征文要求：
1．符合上述内容的论文摘要；
2．论文摘要主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位；
3．论文摘要以WORD文档形式准备，包含标题、作者及其单位地址、正文、参考文献等在内不超过一页A4纸，相关模板可登录 http://www.mocvd14.org下载，于2016年6月15日前通过电子邮件方式提交给会议组委会秘书组（mocvd14 @ciomp.ac.cn）；
4．所有论文摘要将编入会议文集，优秀论文推荐到发光学报（EI）上发表。
论文征集热线：
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484；
孙晓娟 sunxj@ciomp.ac.cn
会议报名/商务赞助热线：
贾欣龙 jiaxl@china-led.net 18310277858
张威威 zhangww@china-led.net 13681329411
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
有关第十四届全国MOCVD学术会议的详情及最新动态请关注会议网站：www.mocvd14.org
