5月12日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，北京国联万众半导体科技有限公司承办的“第三代半导体产业电子装备国产化技术座谈会”在中科院半导体所4层会议室成功举行。
座谈会现场
出席座谈会的领导及专家有，科技部原副部长曹健林，科技部高新司先进制造和自动化处处长王静，科技部高新司材料处副处长孟徽，中科院微电子所所长叶甜春，科技部第三代半导体材料项目管理办公室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）秘书长吴玲，第三代半导体产业技术创新战略联盟技术顾问、半导体照明联合创新国家重点实验室外方主任张国旗，半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中国科学院半导体照明研发中心主任李晋闽以及科技部第三代半导体专家组专家中兴通讯副总裁、电源研究院院长晏文德，中国电子科技集团公司第十三研究所副所长蔡树军，中国电子科技集团公司第五十五研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松，第三代半导体产业技术创新战略副秘书长于坤山以及中车、中电科、泰科天润、中晟光电、北方微电子等一大批装备及相关领域的专家参与此次座谈会。
座谈会现场
首先，科技部第三代半导体材料项目管理办公室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、CSA秘书长吴玲介绍与会领导及专家到会情况，并简要介绍此次座谈会背景。她表示：“自2011年起，科技部高新司就启动了第三代半导体材料及应用“6+1”重点项目，在十二五末期，经过论证，十三五首批国家重点专项 “战略性先进电子材料”板块就是第三代半导体材料与半导体照明。经过三四年的时间，在重点项目的支持下，经过产学研用多方的努力下，第三代半导体材料及应用的发展已经看到了明确的目标，就是要抢占全球的话语权和制高点。”
科技部第三代半导体材料项目管理办公室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、CSA秘书长吴玲
吴玲还表示，第三代半导体的应用现在也越来越清晰，不仅仅是在支撑下一代信息技术，在节能环保领域，特别是在传统产业的提升方面，例如充电桩的示范、5G通讯的专项等等都做了全面的部署。除了第三代半导体材料背本身应用机会来拉动以外，还有一个机会就是装备的机会。所以，本次座谈会以工艺与装备一体化为出发点，以第三代半导体技术、产业及应用方向、电子装备国产化现状与趋势、碳化硅器件工艺对装备的需求、氮化镓器件工艺对装备的需求、电子装备国产化建议等内容为主题，探讨第三代半导体装备的国产化之路，为国家第三代半导体装备的国产化提出具体建议，来推动整个产业的健康可持续的发展。当前，我国在微电子方面通过科技部“02专项“在装备方面已经取得了很大的进展和成果，在第三代半导体又是一个机会，在全球来看第三代半导体装备还不是很成熟，在第三代半导体产业产业化及规模化前夜召开此次座谈会来谋划这件事非常有必要。
科技部原副部长曹健林为座谈会致辞
紧接着，科技部原副部长曹健林在致辞中指出，进入21世纪以来，中国是世界上最大的发展中国家，我们在追赶发展中国家所用的时间在迅速的缩短。我们不仅要考虑全产业链，还要考虑全产业链的未来发展。其实，我们作为发展中国家往往在追赶发达国家的过程中就是先生产终端产品，然后再生产这些产品的相关设备以及生产相关产品的所需的原材料和相关工艺。在赶超的过程也是一个逐步发展的过程。在终端产品方面，我国已经是世界上最大的市场了，但是我们的装备和生产这些高新技术产品所需要的相关材料和工艺，我们还需要相当一段时间才能赶超。
曹健林表示，通过在以往的实践的过程中发现，这种提供材料提供装备的往往是拿走了第一桶金，让他们都赚的盆满钵满的时候，那些产能过剩的痛苦都留给了我们，我想这一天不应该在长久的继续去。更何况我们的先辈曾将说过“工欲善其事，必先利其器。”所以，我们的装备、材料和工艺决定了我们的制造水平，也决定了我们作为高新技术产业、高新技术产品在国际上的地位。因此，我们第三代半导体还处在成长的初期状态，我们中国人也应该考虑相关的装备、材料和工艺。
其二，我们对自己要有自信心。目前事实上我们在第三代半导体所涉及的一些装备，它所需要的精度、所需要的产能的效率以及它目前产业规模，所引起国际大公司都还处在一个起步阶段，所以给我们留下了更多的机会。目前，我们无论是在材料、还是封装，都已经打下了良好的基础，因此再结合我们拥有全球最大的市场，或许我们不讲弯道超车、能够后来居上，至少未来能成为我们的一个优势。所以希望通过今天的座谈会，看到一些优势和一些突破口的话，立即投入行动，争取用若干点上的突破，最后实现我们国家和民族整体的优势。
中科院微电子所所长 叶甜春
中科院微电子所所长叶甜春在致辞中表示，宽禁带半导体除了照明之外，电力电子微波器件可能未来是非常大的突破，一旦做起来，市场会非常大。将来要涉及到新能源，甚至是我们节能降耗的使用，它可能形成一个组合方向，硅的、氮化镓、碳化硅的可能会形成上下游配合起来使用。硅的可以做一些集成，射频微波是军用只是一块，等到5G通讯起来以后一下子就起来了。一旦5G通讯起来以后，氮化镓必然要往上走的。同时，实际上我们在“02专项“的支持下，南车、株洲所、国网最近也都在着手和微电子合作，一些常规的制造设备，我们已经看到国产设备已经构成了一个基础，第三代半导体也是和一二代半导体有相应的联系，希望能够坚持做下去。
半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中国科学院半导体照明研发中心主任 李晋闽
半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中国科学院半导体照明研发中心主任李晋闽表示，早在科技部02专项的时候就已经提出对MOCVD大力支持，实际上国产的MOCVD48片机已经研发出来，但是可能在政策上原因，进口设备上是有补贴的，国产设备没有补贴，反而在一些零部件上还要交税，所以也是一个不公平的。所以跟发改委、科技部、财政部反应过很多次，好在零部件免税已经放开，对引进这方面也是很好的促进国产重大装备的发展。作为第三代半导体材料无论是碳化硅、氮化镓，材料一定是最重要的。希望在半导体照明的很好的工业基础上，能够很好的梳理以后的国产化设备基础，能在未来发展过程中针对光电子LED的、针对微电子应用的电子功率器件的在重大装备的国产化上，一定要梳理出一条国产化思路，通过大家的共同努力促使我们国家第三代半导体材料及应用能再上一个新台阶。
第三代半导体产业技术创新战略联盟技术委员会委员张国旗教授主持邀请报告环节
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长 于坤山
根据议程，在邀请报告环节，第三代半导体产业技术创新战略联盟技术委员会委员张国旗教授主持会议。首位邀请报告人是来自第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长于坤山带来了《第三代半导体技术、产业及应用方向》主题报告，从机遇也许会稍纵即逝、市场已在敲门、正在形成的产业、联盟能够发挥的作用、寻找突破的机会五个方面展开介绍。于坤山表示，当前第三代半导体产业发展处于窗口机遇期，会支撑智能化为特征的产业升级和高新技术产业发展，电力电子技术成为支撑未来能源互联网、智能电网、电力传动和智能用电等领域技术和产业发展的必然选择。
中电科电子装备有限公司董事 龚杰洪
紧接着，中电科电子装备有限公司董事龚杰洪分享了《紧抓宽禁带半导体产业发展机遇，大力推进第三代半导体装备国产化》主题报告。宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、中国电子科技集团公司第五十五研究所柏松分享了《SiC电力电子器件工艺设备需求分析》主题报告；中国电子科技集团公司第13研究所副所长蔡树军分享了《氮化镓器件工艺对设备的需求》主题报告；其中，龚杰洪表示，第三代半导体（SiC、GaN）引领新一代电子产业，微波射频、电力电子、半导体照明等产业的蓬勃发展为第三代半导体装备国产化带来了前所未有的机遇。第三代半导体装备的国产化有助于实现产业自主可控发展，将进一步推动我国电力电子、半导体照明等产业实现低成本快速扩张。
宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、中国电子科技集团公司第五十五研究所 柏松
柏松表示，目前，SiC外延炉、高能离子注入机、高温退火炉、高温氧化炉、欧姆退火设备、高压动态测试系统等关键设备还是依赖进口。并且，设备价格昂贵、配件采购周期长、工艺开发缺乏支撑、后服务难以保障等问题制约着国产设备的快速发展。
中国电子科技集团公司第13研究所副所长 蔡树军
对于GaN器件生产链硬件国产化现状，蔡树军表示，设计的器件和软件GaAs和GaN差异不大。个性特点（注入、磨片等）总体而言，射频器件对设备的要求比电力电子的高。根据13所工艺线统计，在工艺线设备总价值国别分布中，美国占比22%、荷兰占比20%、英国占比17%、德国占比13%，而中国设备总价值仅占全部的10%。百万元以上关键设备台数国别分布中，国产关键设备数占总数7%；百万元关键设备总价值国别分布中国产设备仅占4%。可想而知，我国在设备上虞发达国家仍存在明显差距，设备国产化占比亟待提高。
专题讨论环节
接下来，在专题讨论环节，与会的专家对“碳化硅器件工艺对装备的需求”“氮化镓器件工艺对装备的需求”展开专题讨论。并围绕下一步的工作重点，推动整个装备国产化往下推进和发展建议展开讨论。
