近年来方兴未艾，新技术、新器件不断涌现，其中以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体电力电子器件因其工作电压高，工作速度快、工作效率高，成为新一代半导体电力电子器件领域的宠儿受到追捧。为此，由西安交通大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟和IEEE西安分会主办的2016年宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会将于5月21日至22日在西安交通大学举办。
本次研讨会，还得到西安电子科技大学、中国有色金属学会宽禁带半导体分会、中国电子学会电子材料分会、中国电工技术学会的大力协办，由西安交通大学电力系统电气绝缘国家重点实验室全力承办。作为宽禁带半导体电力电子领域国内首次举办的高端论坛，邀请了美国、欧洲和日本的10位著名专家教授和10位国内的相关专家教授做报告，涉及宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带半导体电力电子器件和宽禁带半导体材料生长等方面，为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会。
届时，研讨会将聚集众多国内外专家对“宽禁带半导体电力电子技术应用”、“宽禁带半导体电力电子封装技术”、“宽禁带半导体电力电子电子器件”和“宽禁带半导体材料”四大主题进行专题研讨，欢迎相关领域专家企业单位代表参与交流。
会议日程
