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2016年宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会召开

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-05-25 来源:中国半导体照明网浏览次数:806
   以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料(也可称第三代半导体材料)具有禁带宽度大,击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等材料特性以及高效、高频、高温、高可靠性、体积小、重量轻等应用优势,在可再生能源利用、新能源汽车、智能电网、高速轨道交通、航空航天、消费类电子等领域有广阔的应用前景,可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料,正在成为全球半导体产业新的战略高地,也是全球半导体研究的前沿和热点。国内外宽禁带半导体电力电子技术目前的技术进展如何,有怎样的发展趋势等都备受关注。
 会议现场
  在这种背景下,2016年5月21-22日,西安交通大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟和中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟主办的2016年宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会在西安交通大学召开。中国科学技术部高新技术发展及产业司材料处副处长孟徽、项目主管王冬雨,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,西安交通大学副校长荣命哲教授等特邀嘉宾,以及来自国内外知名高校、科研机构、企业代表200多人参加了此次研讨会。西安交通大学教授张安平主持了此次研讨会,西安交通大学副校长荣命哲、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲分别致辞。

会议现场
   宽禁带半导体材料及器件的突破被认为或将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局,美、欧、日等发达国家高度重视并已部署国家计划抢占战略制高点。我国政府也十分重视宽禁带半导体材料与器件的研发及产业化。此次研讨会是宽禁带半导体电力电子领域国内首次举办的高端论坛,阵容空前强大,备受关注。邀请了全球能源互联网研究院书记、副院长邱宇峰,美国田纳西大学Fred Wang教授,美国弗吉尼亚理工大学Guo-Quan LuQiang Li教授,美国普度大学James Cooper教授,日本产业技术综合研究所 Tetsuo Hatakeyama博士,日本丰田公司Hiroki MiyakeKatsunori Danno博士,日本东洋炭素Makoto Kitabatake博士,日本电装公司Jun Kojima博士,日本罗姆公司的Hirokazu Asahara博士,香港科技大学刘纪美、陈敬教授,西安交通大学张安平、杨旭、王来利教授,西安电子科技大学张进成教授,中科院电工所李耀华副所长、宁圃奇研究员,中科院苏州纳米所徐科研究员,中车西安永电公司张红卫教授,台达电力电子中心张伟强博士等众多重量级专家教授以及国内相关著名专家教授,围绕着宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带半导体电力电子器件和宽禁带半导体材料生长等不同主题,带来全方位的精彩报告,既有大局趋势信息的传递,亦有具体技术的研究进展及成果传递。
 合影
部分与会专家合影
  此外,研讨会的高规格内容及豪华阵容更是吸引了自国内外众多宽禁带半导体领域的知名高校、科研院所、企业的代表们的高度参与,也增加了此次研讨会影响的深度与广度,在促进国内外宽禁带半导体研究交流的同时,也为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士提供了难得的交流和学习机会。


 优秀论文展示

 POSTER展示获奖者颁奖
展场
 
  (关于此次研讨会的更多内容,敬请关注中国半导体照明网)

 
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