大会主席
· 中村修二，美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院材料系教授，2014年诺贝尔物理学奖得主
· Braham Ferreira， 荷兰代尔夫特理工大学教授，IEEE电力电子协会主席
· 曹健林，中华人民共和国科学技术部原副部长
· 郑有炓， 南京大学电子科学与工程学院教授, 中国科学院院士
支持单位
国家科学技术部
国家发展与改革委员会
国家工业与信息产业部
北京市人民政府
主办单位
北京市科学技术委员会
北京市顺义区政府
承办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
顾问委员会
主任
甘子钊——中国科学院院士、北京大学教授
赵玉海——原科技部高新技术发展及产业化司司长
委员
周炳琨——中国科学院院士、原中国光学学会理事长
王占国——中国科学院院士、中科院半导体所教授
周孝信——中国科学院院士、中国电力科学研究院名誉院长
曹镛——中国科学院院士、华南理工大学教授
夏建白——中国工程院院士、中科院半导体所研究员
许宁生——中国科学院院士、复旦大学校长
陈星弼——中国科学院院士、成都电子科技大学教授
邱勇——中国科学院院士、清华大学校长
李树深——中国科学院院士、中国科学院半导体所研究员
陈良惠——中国工程院院士、中科院半导体所研究员
王立军——中国科学院院士、中科院长春光学精密机械与物理研究所研究员
邬江兴——中国工程院院士、解放军信息工程大学教授
李述汤——中国科学院院士、苏州大学科学技术学院院长
吴孔明——中国工程院院士、中国农业科学院副院长
苗治民——工业和信息化部原材料工业司副司长
曹国英——科学技术部高新技术及产业化司副司长
贾复生——国家节能中心主任
闫傲霜——北京市科学技术委员会主任
康义——中国有色金属学会理事长
邴树奎——中国照明学会理事长
李宝山——中国可再生能源协会秘书长
Warren Julian——澳大利亚和新西兰照明工程学会（IESANZ）主席、悉尼大学教授
Evgeny Dolin——俄罗斯半导体照明联盟（NPRPSS ) 秘书长
Bob Karlicek——美国智能照明工程技术研究中心主任、 美国伦斯勒理工学院教授
ShyamSujan——印度照明学会（ELCOMA) 秘书长
论文征集
论坛长期与IEEE合作。投稿给IFWS的优质论文，会被遴选在IEEE Xplore?电子图书馆发表。
分会S1. 碳化硅电力电子器件技术
分会主席：
邱宇峰——国家电网全球能源互联网研究院副院长
盛况——教育部长江学者，浙江大学特聘教授，博导
外方主席：
Tat-sing Paul Chow——伦斯勒理工大学教授
分会征文重点内容：
碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。本分会的主题涵盖SiC衬底、同质外延、电力电子器件、模块封装和应用技术。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅电力电子器件技术及其应用的最新进展。
征文方向：
-SiC衬底及衬底生长技术
-SiC同质外延生长技术
-SiC材料缺陷与表征
-SiC电力电子器件技术?
-SiC电力电子器件可靠性
-SiC电力电子器件封装技术
-SiC电力电子应用
-SiC电力电子技术的市场研究
分会S2. 氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术
分会主席：
张荣——山东大学校长、教授
张国义——北京大学物理学院教授，北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任
外方主席：
Fred Lee——弗吉尼亚理工大学教授，美国工程院院士
分会征文重点内容：
宽禁带半导体氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。除了碳化硅和氮化镓电力电子器件外，具有更高性能潜力的金刚石、氧化镓等其它新型宽禁带半导体电力电子器件近年来也不断获得技术的突破。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性以及其它新型宽禁带半导体电力电子器件等。将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件研究与应用的最新进展
征文方向：
-大尺寸衬底上GaN基异质结构外延生长和缺陷、应力控制
-GaN基电力电子器件技术
-GaN衬底材料和厚膜同质外延
-GaN电力电子器件可靠性
-GaN器件封装技术
-GaN电力电子应用
-GaN电力电子技术的市场研究
-其他第三代半导体电子材料与器件
分会S3. 第三代半导体与新一代移动通信技术分会
分会主席：
张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长
蔡树军——中国电子科技集团公司第十三研究所副所长
外方主席：
王康隆——加州大学洛杉矶分校教授
分会征文重点内容：
第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
征文方向：
-高性能微波GaN器件技术
-用于高性能微波器件的GaN外延技术
-GaN微波集成电路技术
-GaN微波器件的可靠性
-GaN微波器件的大信号等效电路模型与物理模型
-GaN器件和电路在移动通信中的应用
分会S4. 第三代半导体与固态紫外器件技术分会
分会主席：
徐科——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心研究员，博导，主任
张韵——中科院半导体研究所所长助理、研究员
外方主席：
Russell Dupuis——佐治亚理工学院教授
分会征文重点内容：
第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。本分会将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先进封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。分会面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名专家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。
征文方向：
-宽禁带半导体紫外发光材料及新型衬底
-宽禁带半导体紫外探测材料
-高效量子结构设计与生长
-高效固态紫外发光器件
-高灵敏度紫外探测与成像器件
-紫外封装与模组的光提取、热管理及可靠性
-紫外光源与探测应用新进展
征文流程
1.作者提交论文扩展摘要（Extended Abstract）。
2.通知作者投稿录用方式：口头报告、POSTER与入刊会议论文集等。
3.作者依据组委会的录用通知准备材料：
1)口头报告：作者需准备论文与演示文件（PPT/PDF）；
2)POSTER：作者需准备论文与POSTER文件（组委会将对POSTER进行编号并告知作者。作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并按照编号在POSTER展示区域自行张贴）
3)入刊会议论文集：作者需准备论文。作者需要根据论文模板准备论文全文。
注：
1)官方网站（http://www.ifws.org.cn/en/paper/）提供模板下载，请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料，以便顺利通过论文审核。
2)优质论文会被遴选在IEEE Xplore Digital Library发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。
征文要求
1.基本要求：
1) 尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文。
2) 主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位。
2.摘要要求：
投稿者需按照组委会提供的模板编写扩展摘要。
3.全文要求：
按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过4页。
4.语言要求：
1) 作者须提交文体规范的英文摘要/POSTER/论文；
2) 演讲语言可以使用中文或英文，但必须用英文演示（PPT或PDF文档）。
注：含有商业性宣传内容的论文，不予安排在论坛演讲。
重要期限及提交方式
1.论文摘要提交截止日期：2016年7月15日
2.论文摘要录用通知：2016年8月1日
3.论文全文提交截止日期：2016年9月15日
4.论文全文录用通知：2016年10月15日
5.口头报告演示文件（PPT或PDF）与POSTER电子版提交截止日：2016年10月28日
投稿请联系：
白璐（Lu BAI)
白璐（Lu BAI)
电话：010-82387600-602
邮箱：papersubmission@china-led.net
参会报名及更多信息，请至http://www.ifws.org.cn/
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贾欣龙 Frank Jia
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