来自北京新能源汽车股份有限公司、浙江大学、中国科学院电工研究所、西安特瑞德智能充电科技有限公司、中兴通讯股份有限公司等联盟成员单位代表及相关单位代表约50人参加了研讨会，第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山主持了此次会议。
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长 于坤山
以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代半导体材料，具有高击穿场强、高热导率、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，可望成为支撑信息、能源、交通、国防等发展的重点新材料，正在成为全球半导体产业新的战略高地。
研讨会上，于坤山介绍了当前第三代半导体产业链的发展情况，浙江大学教授盛况分享了SiC电力电子器件的技术发展现状和趋势。
在第三代半导体众多应用领域中，新能源汽车领域即是其一，目前SiC电力电子器件在新能源汽车领域的应用备受关注，此次研讨会上，围绕着SiC电力电子器件在新能源汽车领域的应用需求及技术发展，展开了热烈的探讨。
北京新能源汽车股份有限公司的范春晖介绍了当前北京新能源汽车发展及对SiC电力电子器件的应用需求，分享了关于SiC芯片、模块及应用研发工作的进展及成果。
SiC技术在电动汽车中具有明显的优势和广泛的应用空间，中国科学院电工研究所研究员宁圃奇围绕SiC器件应用、SiC模块发展、SiC变频器系统开发等内容，全面介绍了SiC电力电子器件在电动车电机驱动中的应用及相关技术发展趋势。
随着电动汽车的逐步推广，电动汽车的充电技术等问题备受关注。西安特瑞德智能充电科技有限公司产品部经理李建华从多角度分享了有限充电设施的发展趋势及对SiC器件的应用需求，涉及功率器件的特性要求、SiC器件面临的技术限制及突破可能、SiC器件应用于充电模块的设计挑战等。中兴通讯股份有限公司技术总监王领强则介绍了电动汽车无线充电技术、应用及对SiC器件的需求。
