——第十四届全国MOCVD学术会议在延吉成功召开
为了深入交流MOCVD技术领域研发的新理论、新进展及其在材料应用领域的新动态、新成果；探讨现有问题和未来发展方向；促进产学研结合进程，加快我国MOCVD技术创新及推广应用，2016年8月17-18日，第十四届全国MOCVD学术会议在具有朝鲜族民族特色的边疆开放城市，素有“歌舞之乡”美称的延吉市盛大召开。来自国内外的知名专家、学者、工程师和企业家近500余位代表，在MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。
开幕式现场
本届会议由中国有色金属学会主办，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟、发光学及应用国家重点实验室、应用光学国家重点实验室和半导体照明联合创新国家重点实验室等单位承办，吉林省科技厅、延边州科技局、延吉市科技局和长春理工大学也给予大力协助和支持。
大会围绕“新形势下的MOCVD+”主题，深入探讨在新型学科，新材料不断涌现；新技术、新产品不断出现的背景下，MOCVD将如何继续发挥其应有的作用和巨大的发展潜力。当前，MOCVD技术已在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量子结构的制备上得到广泛应用，极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化，成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术，未来将为化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
大会开幕式现场
大会主席、中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室申德振研究员担任开幕式主持人
出席大会领导及专家有科技部原副部长曹健林，中国科学院郑有炓院士、王立军院士、郝跃院士、刘明院士，延边州州长李景浩，工信部电子信息司原司长、国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文武，国家基金委信息学部常务副主任秦玉文，中国有色金属学会常务副秘书长杨焕文，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长贾平，国家半导体照明工程研发及产业联盟秘书长吴玲，基金委信息学部调研员、综合处处长何杰，科技部高新司材料处处长陈其针，基金委信息学部信息四处处长潘庆，中国科学院前沿科学与教育局综合处处长杨永峰，中科院半导体所副所长陈弘达，吉林省科技厅高新处处长辛德久，延边州人民政府秘书长冯德远、延边州科技局副局长方金铁及延吉市科技局副局长韩今玉。
以及大会特邀报告嘉宾山东大学校长张荣、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所长杨辉、南昌大学副校长江风益、中国科学院半导体所原所长/半导体照明联合国家重点实验室主任李晋闽研究员、北京大学物理学院教授沈波、耶鲁大学教授韩仲（HanJung）、第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山、中科院长春光机所所长助理孙守红、中科院长春光机所基础科研处处长项阳、中科院长春光机所成果转化处处长褚明辉、中科院长春光机所基础科研处副处长赵东旭、中科院长春光机所应用光学国家重点实验室副主任穆全全、国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文武、中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任黎大兵、中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任佟存柱等。
大会组委会主任、中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任黎大兵介绍会议组织情况
中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任黎大兵代表大会组委会介绍了本届大会组织筹备情况，本届大会共收到来自五十余个单位186篇学术报告，其中大会特邀报告11篇，分会报告32篇；大会实际报到参会人数500余人，分为开、闭幕式和四场主题分会将围绕“新形势下的MOCVD+”主题，深入探讨在新型学科，新材料不断涌现；新技术、新产品不断出现的背景下，MOCVD将如何继续发挥其应有的作用和巨大的发展潜力。
中国科学院院士郑有炓院士致辞
中国科学院院士郑有炓院士在致辞中表示，MOCVD技术作为半导体材料领域在历史上已经做出很大贡献，但是回顾近二十几年来MOCVD技术最大的贡献就是引领并支撑了化合物半导体的发展，也支撑了第三代半导体的发展。同时MOCVD技术在材料发展史上也是最真实最杰出的成就。今天看MOCVD技术的发展，已经成为制造、控制、第三代半导体材料器件及结构精准控制生长技术。再者，在支撑材料发展过程中，MOCVD技术本身也在不断发展。今天的MOCVD技术不是十年以前，更不是二十年以前的技术，是目前最先进的化合物材料生产技术之一，可以认为是精准、生长、调控专业的材料生长技术。所以，生产者只要有新的思想、新的构思、新的思维，就能利用MOCVD技术做出新材料、新器件，发展新产业。同时，国家第三代半导体材料的发展也是得益于MOCVD技术的支撑，MOCVD技术的发展也是随着产业的不断发展带动起来的，技术和产业的发展是相互支撑，共同促进。
MOCVD技术和第三代半导体材料的发展形势喜人，前途继续光明。我国拥有MOCVD设备占全世界总数70%以上，LED产能也占全世界产能的超过四分之一，中国LED产业和企业是全球半导体产业重要力量。目前，中国LED已经走上了创新发展的大道，从MO源的国产化，MOCVD设备也已经开始走上国产化的道路，MOCVD技术开始走上技术创新的道路。我国的MOCVD技术相关的LED及第三代半导体产业也正从大国迈向强国。而且，这个形式还会越来越好。今天的会议也为迈向强国，产生巨大的促进作用。
此外，整个第三代半导体材料的发展，尤其是第三代半导体产业别的发展已经步入新的发展时期。充分发挥战略引领作用，产业并不是一个一个转移，而是一个比一个扩大。LED照明领域还是刚刚开始，比如工业电子、射频电子等众多领域将开始，但需要我们加以自主创新非常重要。尤其需要政产学研用结合，实行跨越式发展。
目前MOCVD设备如何在同样的设备同样的时间条件下实现产能效率提高，MOCVD面临新的挑战。在不增加成本投资、不增加时间条件下扩大面积，怎样从6英寸到8英寸再到12英寸怎样实现突破。在产业创新发展阶段，MOCVD技术应发挥着关键作用。未来如何实现跨越发展、跨界发展和创新应用将是新的方向。
延边州州长李景浩致辞
延边州州长李景浩在致辞中表示，延边是中国唯一的朝鲜族自治州，区位优越，交通便利，地处中俄朝三国交界，高速铁路、高速公路直接同内地，海上航线联通韩国多城市及我国东南沿海城市，已经成为东北亚重要的交通枢纽。同时也是“一带一路”向北开放重点城市，享有一系列国字号优惠政策。当前，吉林省上下正在实施创新驱动发展战略，促进产业转型升级，推动老工业基地全面振兴。延边州也正在全面积极推进科技创新和产业变革深度融合，着力改造传统产业，做强做大。培育新兴产业，全力加快绿色转型发展。我们真诚希望通过此次学术会议的召开，能为我州科技创新、产业发展等领域引入新理念，注入新活力，带来新变化。同时也希望各位专家学者为我州发展把脉支招，助力延边振兴发展。
国家基金委信息学部常务副主任 秦玉文
国家基金委信息学部常务副主任秦玉文在致辞中表示，基金委一直关注着半导体相关的领域的科技发展，同时支持和发掘半导体领域探索性基础研究，也希望在基金委的推动下能促进产业的发展。
中国有色金属学会常务副秘书长杨焕文致辞
中国有色金属学会常务副秘书长杨焕文表示，作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十三届，规模和影响越来越大，已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。本次会议选择在具有朝鲜族民族特色的边疆开放城市，素有“歌舞之乡”美称的延吉市举行，来自大陆和台港地区的与会学者、工程师和企业家将在MOCVD生长技术、MOCVD设备研发、材料结构与物性、以及光电子、电力电子器件、微波射频器件研发等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步和第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长 贾平致辞
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所长贾平在致辞中表示，作为MOCVD生长技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，自1989年第一届会议举办以来，“全国MOCVD学术会议”已经成功举办了十三届，已成为全国学术界和产业界广泛关注的学术盛会。本届盛会十分荣幸邀请到了国内外知名专家学者开展广泛交流和深入合作，必将对我国MOCVD学术研究、技术进步和第三代半导体产业发展起到有力的推动作用。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所作为摇篮，肩负着国家科技创新使命，面向世界科技前沿，面向世界经济主战场，面向国家重大需求，高度重视并大力支持MOCVD技术的发展，构建了先进的MOCVD技术平台，希望今后在国家政策的扶持下，本所与研究所，大学及产业界同仁，进一步加强交流与合作，在MOCVD技术领域半导体照明及第三代半导体材料领域实现跨越式发展。
科技部原副部长曹健林 致辞
科技部原副部长曹健林致辞并在主题为“我国第三代半导体发展战略思考”的报告中指出，MOCVD绝大多数是为LED或者说是第三代半导体生长服务。第三代半导体首先具有非常强的技术性，是以硅基为主的半导体产业的延伸和发展。对于，第三代半导体它有其特殊性，如何定义第三代半导体？曹建林认为，一个从宽禁带化合物，还有是从性能上的延伸，例如高功率高频等等；这两者的结合起来，用第三代半导体统称感觉比较贴切。
他表示，作为发展中国家，我们中国从50年代后期典型的像半导体所等等，开展大量的半导体科学技术的研发，迄今为止在硅基半导体产业的人才、技术、企业规模等方面还与西方发达国家存在巨大差距。其实，经过多年的努力差距正在缩小。在正视差距，在努力缩小差距的同时，我们还要探索一下跨越式发展道路。因为我们正处在一个特殊的历史时期，曾经科技部做过很多重要调研，调研发现目前处在跟跑、并跑、领跑并存，大概有一半以上是跟跑，然后一半是并跑和领跑，其中有10%-15%以上中国是在领跑。同时，无论是并跑还是领跑，第三代半导体给我们提供了一个新的历史发展机遇和可能性。
目前，中国已开始了全球最大、最复杂、发展最快的能源互联网建设，其中包括特高压远距离输电、大规模新能源并网、电网控制等技术；中国已建和在建的全球最高运营速度、最长运营里程、最佳效益的高速轨道交通以及未来的“一带一路”建设；全球增长最快和最大的新能源汽车市场；全球最大规模的4G和5G移动通信；全球产能最大、市场最大的半导体照明及超越照明；- 中国需要第三代半导体。中国的需求吸引了全球厂商的目光，促成了他们产品向中国的输出；中国的科技和产业工作者有责任、有能力先于任何人满足这种需求。
目前国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断，我国正处在启动这一产业的窗口期。中国精密加工制造技术和配套能力的迅速进步，特别是有01、02专项的基础，具备促使这一产业高速发展的能力和条件；各地多年积累的产业优势和转型升级的需要，为构建新兴产业创新链提供了条件；中国市场的多元性和需求梯度为未来市场提供了机会；具有中国特色的“政产学研用”协同创新模式，为新兴产业的发展提供了可借鉴的经验和成功的可能性。
曹健林认为，我国启动第三代半导体产业的时机已经成熟，第三代半导体技术突破将带来新一轮产业革命。在光电子、电力电子和微波射频等领域，抢占技术和产业制高点，重构全球半导体产业格局。
国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文武
中国科学院 郝跃院士
山东大学校长 张荣
耶鲁大学教授韩仲（HanJung）
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山
紧接着，国家集成电路产业投资基金有限公司总经理丁文武分享了“关于MOCVD发展相关情况” 的主题报告；中国科学院郝跃院士分享了“GaN基半导体电子器件的研究进展与趋势”报告；山东大学校长张荣分享了“AlGaN日盲紫外探测技术研究”报告；耶鲁大学教授韩仲（HanJung）带来了“非极性和半极性GaN LED照明规模效益化的可能” 主题报告；第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山分享了“以需求带动第三代半导体产业健康发展”主题报告。
此外，大会除了开闭幕式以外，还在会期内四个分会场，分别以氮化物LED与LD，紫外材料与器件，外延生长与物性，其他光电子材料与器件，电子材料与器件，MOCVD设备、衬底与物性等主题展开学术报告分享和深度对话。
