微发光二极体（Micro LED）技术在苹果和SONY带动下，以“次世代显示技术”之姿为业界带来希望曙光。由于Micro LED显示技术横跨多个产业领域，加上未来应用想像空间广，吸引不少业者投入研发。只是目前这项新兴技术供应链尚未建构完整，各家发展状况也不明朗，究竟Micro LED能多快落实商业实用化，成为许多厂商亟欲了解的问题。
Micro LED开启新商机，技术面临考验
传统LED在显示技术中扮演背光角色，接下来显示技术发展会从背光转成自发光型态，包括有机发光二极体（OLED）、Micro LED等技术类型。调研机构集邦科技绿能事业处协理储于超指出，OLED技术发展多时，相关专利多半已由韩厂掌握，若现在才投入发展恐怕难以追赶，此时Micro LED技术则开启了另一发展空间。
Micro LED尺寸微缩到微米（micron）等级，不仅每一点像素（pixel）都能定址控制及单点驱动发光，还具有高亮度、低功耗、超高分辨率与色彩饱和度等优点，未来甚至可接合在软性基板上，实现有如OLED般可挠曲特色，应用范围更广也更多元。
不过，现阶段开发Micro LED还有许多技术瓶颈待突破，其中最关键的就属“巨量转移”（Mass Transfer）技术。“巨量转移技术除了可以用来转移微型LED，也可转移其他微小电子元件，例如感测器，”储于超认为，未来移动设备显示屏幕可望整合光学感测、指纹触摸等感测功能，而这也是目前OLED所无法达到的技术门槛，不像Micro LED拥有足够间距空间整合多个感测器。“Micro LED不只能用于显示技术，还可以创造更多附加价值，发展性更大，”储于超说。
串联合作跨越技术门槛，建构全新产业供应链
苹果于2014年所收购的Micro LED显示技术公司LuxVue Technology，目前已掌握多项转移技术专利，其他包括台湾半导体新创公司錼创科技（PlayNitride）、台工研院，美国伊利诺大学厄巴纳香槟分校（University of Ilinois at Urbana-Champaign）拆分公司 X-Celeprint、法国原子能署电子暨资讯技术实验室（CEA-Leti）、英国史崔克莱大学（University of Strathclyde）拆分公司mLED等，也都在开发自家转移技术、各拥专利。
不仅转移技术门槛高，Micro LED要达到RGB三色LED自发光，又以红光LED最具难度，LED台厂晶电则在这方面占有优势。另外，LED芯片以现有制程微缩也已达极限，“要微缩到Micro LED的微米等级，需要全新的生产制程技术，与既有生产工艺流程截然不同，”储于超指出，Micro LED良率在显示技术来说绝对是关键，从前端磊晶制程开始就必须有所调整，到后端转移过程，以及面板、驱动 IC 等一系列技术都要有完整配套考量。
“新技术对现有厂商造成冲击，Micro LED为破坏式创新，将颠覆现有供应链而产生结构性改变，”储于超表示，Micro LED牵涉产业范围相当广，包括LED、面板、驱动IC、设备与材料等领域，要实现Micro LED技术无法只凭单打独斗或压低成本就能做到，毕竟供应链各个环节都有技术瓶颈待突破，彼此应串联合作、打团体战，才能加速推动发展加以实现。
应用想像空间广，最快2017年推出原型
Micro LED为跨领域技术，应用端也有许多想像空间，除了穿戴式设备、室内显示屏幕外，头戴式显示器（HUD）、抬头显示器（HUD）、车尾灯、无线光通讯 Li-Fi、AR／VR、投影机等，都是相当具前景的发展方向。
只是碍于Micro LED技术问题，实现相关应用还有一段路要走，尤其手机与电视显示应用的门槛很高，储于超认为至少要三、五年时间才可能解决。他预计最快2017年就会出现Micro LED应用原型，依现况看来，又以穿戴式设备、室内显示屏幕最快实现，也就是目前苹果和SONY各自发展的应用领域。苹果有望在2018年推出Micro LED穿戴设备，SONY则宣称会在2017年实现拼接型室内显示屏幕“CLEDIS”（Crystal LED Integrated Structure）量产目标。
尽管现在还说不准Micro LED市场将进展到多大规模，可以确定的是Micro LED发展并不仅限于显示应用。储于超特别看好巨量转移技术，认为该技术将形成全新行业，有望发展出创新利基应用、开拓新商机。
在大厂带动下，Micro LED技术应用关注度不断提升，也有许多厂商投入研发。储于超表示，大家各自埋头开发有关技术，但对于整体发展现况并不清楚，在寻求合作对象时也有困难，因此需要交流管道深入了解有关进展。
