11月15日下午，在第十三届中国国际半导体照明论坛开幕式上，举行了ISA 2016年“全球半导体照明突出贡献奖”颁奖仪式。ISA常务理事会成员，悉尼大学教授朱丽叶向大会介绍了两位获奖人的获奖情况。
第一位获奖人是美国乔治亚理工大学教授、美国国家工程院院士， 拉塞尔·杜普伊斯先生（Professor Russell Dean Dupuis） 。
朱丽叶教授在介绍其获奖理由时说到，拉塞尔?杜普伊斯教授1975年第一次发现MOCVD可用于生长高质量的半导体薄膜与器件，1979年在AT&T贝尔实验室延伸到用MOCVD生长InP-InGaAsP器件，由于高质量的III-V半导体和MOCVD的结合，支撑LED获得越来越广泛的应用。如今，世界上几乎所有的III-V高性能的发光二极管（LED）均以MOCVD方式生长，该技术是半导体照明发展领域一个杰出的成就，它奠定了半导体照明技术飞速发展的基础。
评委认为：
一、杜普伊斯教授是证明使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)制造点燃多种发光器件的高质量化合物III-V可行性的第一人。七十年代，他在洛克威尔国际公司和贝尔实验室开创了这种方法，这是首个不同于大规模异质结制备和量子阱结构的液相外延的真空技术。他从设备设计到设备制造全程都亲身参与。他的成就在当今的半导体照明设备生产中具有十分重要的作用，获得全球半导体照明突出贡献奖绝对实至名归。 二、高质量的III-V半导体和MOCVD的结合。由于该技术的支撑使LED获得越来越广泛的应用。已经证明，在全球范围内，该技术是半导体照明发展领域一个杰出的成就，它带来的影响我们每天都在体验。 三、杜普伊斯教授是金属有机气相沉积（MOCVD）应用于LED的先驱。
中国科技部原副部长曹健林博士向杜普伊斯教授颁发了2016年“全球半导体照明突出贡献奖”奖牌与证书。
杜普伊斯教授即席发表了获奖感言。
第二位获奖人是英国爱丁堡大学教授哈拉尔德·哈斯（Professor Harald Haas）先生。
朱丽叶教授在介绍其获奖理由时说到，哈斯教授在2011年TED全球大会上，第一次现场演示了Li-Fi技术。不仅开创了照明设备通信的新概念，传播了该技术，并使他成为公认的“LiFi之父”。此项技术基于半导体照明设备，正在向室内信息和通信技术市场渗透，在物联网时代一定会迎来一个美好的未来。该技术的出现对半导体照明技术的多样化应用做出了重大贡献，吹响了光通信时代的号角，去开拓一个新的蓝海市场。
评委认为:
一、2015年，作为无线数据传输专家，哈斯教授在TED全球大会上，做了“忘记Wi-Fi！迎接新的Li-Fi网络”的演讲，不仅开创了照明设备通信的新概念，并传播了该技术，使他成为公认的“LiFi之父”。此项技术基于半导体照明设备，正在向室内ICT市场渗透，在物联网时代一定会有一个美好的未来。该技术的出现对半导体照明技术的多样化应用作出重大贡献，开拓了新的市场。他的科技成就，获得此奖当之无愧。 二、哈斯教授是LiFi技术的推动者。 三、哈斯教授是LiFi技术的开拓者。
ISA顾问委员会联合主席、2014年诺贝尔物理学奖获得者、半导体照明和能源中心研究室主任、美国加州大学圣巴巴拉分校教授中村修二（Shuji Nakamura）先生向哈斯教授颁发了2016年“全球半导体照明突出贡献奖”奖牌与证书。
哈斯教授即席发表了获奖感言。
“全球半导体照明突出贡献奖”旨在奖励表彰为全球半导体照明事业做出了卓越贡献，在技术创新、产业发展、标准制定、政策实施等领域取得了巨大成就的个人和机构。本奖项是全球半导体照明领域认定贡献与成就的最高荣誉之一。该奖项今年是第四次评选，迄今为止，共有7位个人、一个企业和一个政府机构获此殊荣。
“全球半导体照明突出贡献奖”，是对全球半导体照明领域内的卓越贡献者的认可和致敬，并藉此激励越来越多的科研机构和科学家投身于这一伟大事业，用他们的知识和创新推动历史前进，创造出更多激动人心的成果，造福人类，惠益全球。
该奖项面向全球征集，由全球业内知名权威专家组成的评委会独立打分评选，不向参加者收取任何费用。
