围绕第三代半导体，今年跨国技术转移大会专门设置了多场分会，其中，11月16日下午举行的“第三代半导体与新一代移动通信技术”分会，围绕着第三代半导体与新一代移动通信技术展开多维度的探讨，涉及高性能GaN开关电源，GaN、SiC材料外延及电子器件等众多热点。
中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工 刘建利
会上，来自中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工刘建利作了题为“射频功率器件在移动通信基站射频功率放大器中的应用”主题报告。他表示，移动通信网络从上世纪八十年代产生以来，历经了三十余年的发展历史，从1G到5G,每一次更新换代都是颠覆性技术引领来解决了当时的最主要需求。我们正处在一个移动互联网高速发展的时代，网络技术演进的状态是一方面4G网络高速建设，另一方面5G技术研究快速推进。
刘建利表示，展望未来移动通信基站的发展，超宽带、低功耗、集成小型化将是其必然趋势。相应的对基站内部的射频功率放大器在输出功率、能耗效率、信号带宽、可靠性、体积、重量及成本等多方面提出了更高的要求。
同时，传统的LDMOS技术虽然仍然占据了基站射频功放的绝大多数应用场景，但面对未来的需求，其技术指标已经难于满足，并且LDMOS技术由于经过二十多年的演进，指标的提升已接近极限。而GaN技术以其宽禁带材料固有的特性，使得器件在工作频率、功率、效率、带宽、体积等诸多方面呈现出更加优异的性能。GaN射频功率器件的应用2012年前后开始起步，预计到2019年将占到20%以上的市场份额。
中兴通讯股份有限公司射频功放平台总工 刘建利
此外，刘建利还特别提出GaN射频器件在移动通信基站领域的应用主要有以下几个技术方向：1）多频段、超宽带的载波聚合基站系统；2）ET（包络跟踪)/DM（漏极调制）基站系统；3)DTX（数字发信机）/SMPA(开关功放)基站系统, 要求GaN射频器件具有非常高的截止频率；4）5G通信的毫米波MASSIVE MIMO基站系统等。
GaN射频功率器件在移动通信基站领域应用需要重点关注的几个问题：1）GaN器件失真特性模型与DPD算法优化；2）个别场景EVM指标恶化；3）线性增益动态范围大；4）高温指标恶化等。
