11月15日-17日，2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际会议中心举行，第十三届中国国际半导体照明论坛并与之同期同地举行。其中，在11月17日召开的“碳化硅电力电子器件技术分会”现场，聚集了来自全球各地顶尖专家，高质量报告密集发布，亮点十足。
会上，来自澳大利亚格里菲斯大学微电子工程学院的Sima DIMITRIJEV教授分享电力电子设备的后硅时代主题报告。他在报告中，讲述了硅的局限性和碳化硅以及氮化镓作为电力开关器件的优势，并表明了电力开关器件的四个具体应用要求：（1）高阻塞电压（2）低功耗（3）高转换速度 和（4）正常的关闭操作。
并介绍了该优势推动了碳化硅肖特基二极管和晶体管的商业化发展。报告还分析氮化镓的潜能会加快技术进步，超越硅的理论极限，甚至显著降低电力电子开关的价格。
在最后一节中，他还集中描述格里菲斯大学的标准电力电子设备的发展。
