11月15日-17日，2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际会议中心举行，第十三届中国国际半导体照明论坛并与之同期同地举行。其中，在11月17日召开的“碳化硅电力电子器件技术分会”现场，聚集了来自全球各地顶尖专家，高质量报告密集发布，亮点十足。
会上，来自美国伦斯勒理工大学教授周达成分享了“高电压碳化硅功率器件的研究进展”主题报告。他表示， SiC以其具有吸引力的材料特性，成为电源转换应用中的一种宽带隙半导体材料。目前，SiC的高电压功率器件可以商品化，性能提高了，因此常规的硅器件相比，功率损耗更小，能量效率更高，正在冲击先进的电力电子学系统。
报告中，详细介绍了SiC功率器件的类型和结构，包括其性能方面的潜力和目前的状况。在各个功率范围内（低、中、高），并介绍了目前的商业化发展趋势，并且提出这些新兴半导体器件遇到并且亟需解决的挑战。
周达成教授表示，由于同属于间接带隙半导体材料，并且加工过程有很多相似之处，因此，SiC功率器件的结构与硅功率器件的结构十分相似。
在低功率（<500W）和闭锁电压（<600V）区域，300V的肖特基二极管和600V的SiC功率MOSFETs是可以获得的，但它们与Si和GaN器件具有很强的竞争。在中等功率和闭锁电压下，1.2kV的垂直面SiC功率MOSFET可以获得，1.7-3.3kV很快可以实现。
通过提高转换频率的上限，并且提高发动机和功率转换器的能量效率和功率密度，SiC功率器件能够替代Si IGBT。在高功率（>1MW）和超高闭锁电压（>5kV）范围，发展了SiC IGBT和超级连接的SiCMOSFET，使之前在硅工艺中不能实现的单级转换技术成为可能。最近，实验证明了n型掺杂的衬底制造的超高电压双定向的SiC IGBT。
周达成教授表示，为了获得市场的广泛接收，SiC功率器件需要在长期可靠性和低成本方面继续努力。因此，我们期待SiC功率期间技术将会成为一种重要的有效利用能源的功率电子系统，并且实现很宽范围的功率水平。
