会议现场
2016年11月16日，第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2016) “芯片、封装与模组技术I”专题分会如期举行。分会兼顾内容的广度与深度，前沿大势与实用技术的搭配，来自中外的强势研究力量联袂带来精彩报告。其中，中国科学院半导体研究所研究员张韵分享了AlGaN基深紫外LED芯片的光提取增强方法。
中国科学院半导体研究所研究员 张韵
张韵中组部“千人计划”青年项目引进人才， “十二五”科技部“第三代半导体材料”总体专家组成员。曾就职于美国高平（Kopin）半导体公司III-V部门从事研发工作。2012年初回国工作，就职于中国科学院半导体研究所。目前科研重点是AlGaN/GaN基大功率高频／电力电子器件、AlGaN基深紫外波段光电子材料与器件等。
光提取效率低是限制深紫外LED出光功率的关键因素之一。结合深紫外LED中的两种偏振模式（TE模和TM模），张韵及其研究团队使用时域有限差分（FDTD）软件对深紫外LED芯片中的出光机制进行了模拟，并据此提出几种调制光传输路径、提高光提取效率的方法。
中国科学院半导体研究所研究员 张韵
会上，张韵详细介绍了LED台面侧壁区域增强紫外光反射的技术，并分享了研究过程及结论。他表示，采用在UV-C波段具有高反射率的Al基厚金层包覆台面侧壁，使有源区内垂直于c轴横向传输的光被Al基厚金层有效反射，调控光的传输路径至朝向蓝宝石衬底，提高光提取效率。并且采用微阵列台面结构来大幅度增加台面侧壁面积，也就是Al基厚金属反射区域的面积，进一步提升光提取效率。
