半导体照明市场增速在放缓，为了节省更多的能量消耗和降低成本，需要进一步提高基于III族氮化物LED的光效和良率。在半导体材料生长和器件制程中，将一个或多个薄层插入到其它均匀的膜中可以极大地改变半导体薄膜的机械，热，光学和电学性质。
华灿光电股份有限公司副总裁及研发中心负责人 王江波
2016年11月17日，第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2016) “芯片、封装与模组技术Ⅱ”专题分会精彩继续。华灿光电股份有限公司副总裁及研发中心负责人王江波做了题为“高光效III族氮化物基LED的插入层技术”的技术报告。
在分析当前半导体照明产业及技术形势的基础上，王江波分析了插入层技术对III族氮化物基LED性能的影响，并具体介绍了PVD AlN、AlGaN、ZnO等几种较为常见的插入层技术，以及较为新颖的金属插入层技术。
王江波表示，高效LED照明应用研究的挑战集中在量子效率下降等方面。PVD AlN插入层技术有助于提升材料品质，AlGaN插入层技术有助于降低量子效率，ZnO插入层技术有利于实现更好的空穴注入，金属插入层技术有助于提高光提取。
