2016年11月15日至17日， 2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际会议中心盛大召开。此次跨国技术转移大会，由中国科技部与北京市人民政府主办，将覆盖众多科技、产业创新热点领域。第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2016）也受到北京市科委邀请，与大会同期同地举行。
围绕第三代半导体，今年跨国技术转移大会专门设置了多场分会，其中，11月16日举行的“第三代半导体与新一代移动通信技术”分会，围绕着第三代半导体与新一代移动通信技术展开多维度的探讨，涉及高性能GaN开关电源，GaN、SiC材料外延及电子器件等众多热点。会上，来自台湾中央大学电子工程系教授綦振瀛分享了“射频通信用AlInN/GaN HEMT器件的MOCVD外延生长”主题报告。
台湾中央大学电子工程系讲座教授 綦振瀛
报告首先介绍了该材料的背景，并把世界上现在最好的结果现状给大家做一些介绍。接下来主要是研究的部分，研究部分基本介绍一个器件两个主题，一个主题是结构，外延的结构和晶片的结构。第二，制作这个器件的时候长材料控制，材料结构跟我们预期物理的角度来看预期结果有出入的。到目前为止我们看到有一些出入，在工程技术上面还要继续的改进。
报告中指出，晶格匹配AlInN/GaN异质结构是功率和射频器件应用的理想选择，因其较强的自发极化（效应），导致其比AlGaN/GaN异质结构拥有更高的载流子浓度和更低的沟道电阻。这一优点对毫米波设备的操作更为重要，因为它对横向和纵向的物理缩放设备尺寸非常必要。
在这个物质系统中，虽然晶格应变的问题较小，InN和AlN的不混溶性使高质量的AlInN更难制备。深入分析表明，除声子散射和位错散射外，合金散射和界面粗糙度散射在AlInN/GaN高电子迁移率晶体管的输运特性方面发挥重要作用（HEMT）。从实验和理论角度，审查和讨论生于金属有机化学气相沉积的高电子迁移率、低通道电阻AlInN/GaN HEMT的生长技术和层状结构设计。
