围绕第三代半导体，今年跨国技术转移大会专门设置了多场分会，其中，11月16日下午举行的“第三代半导体与新一代移动通信技术”分会，围绕着第三代半导体与新一代移动通信技术展开多维度的探讨，涉及高性能GaN开关电源，GaN、SiC材料外延及电子器件等众多热点。会上，来自日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授敖金平分享了“AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的等离子辅助的低温退火欧姆过程”主题报告。
日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授 敖金平
敖金平教授1989年毕业于武汉大学物理系，获学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，并于2003年11月起加入德岛大学。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。现任德岛大学准教授，西安电子科技大学特聘教授，国家千人计划专家。在国际学术期刊和国际会议上发表论文180余篇，拥有多项发明专利。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学会会员以及日本电子情报通信学会会员。
会上，敖金平教授主要介绍了一种借助感应耦合等离子体（ICP）表面处理，在AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)上实现的低温欧姆接触工艺。并和与会代表一起探讨了ICP工艺对二维电子气沟道的影响和低温欧姆接触形成的机理。
敖金平教授表示，通过发现适当的AlGaN剩余厚度和等离子体引起的表面损伤是形成低温欧姆接触的两个关键因素。利用单层的Al层取代常规的TiAl，在575°C 和3分钟的合金条件下，获得0.35Wmm的接触电阻。在500 °C和20分钟的合金条件下也获得了较好的欧姆接触。基于这种低温欧姆接触工艺，我们研制了几种具有自对准栅结构的AlGaN/GaN HFET射频器件，以期在微波毫米波领域应用。
