围绕第三代半导体，今年跨国技术转移大会专门设置了多场分会，其中，11月16日下午举行的“第三代半导体与新一代移动通信技术”分会，围绕着第三代半导体与新一代移动通信技术展开多维度的探讨，涉及高性能GaN开关电源，GaN、SiC材料外延及电子器件等众多热点。会上，来自南京电子器件研究所副教授孔月婵分享了“fT > 260 GHz时高性能超薄第四组InAlGaN势垒HEMT器件”主题报告。
南京电子器件研究所副教授 孔月婵
GaN 基高电子迁移率晶体管（HEMT）在微波大功率器件领域具备独特优势和潜力。与传统的高频器件不同，本文采用的新型超薄势垒层InAlGaN/GaN异质结构在异质界面处显示出更强的极化作用，因此在降低接触电阻的同时可以极大的降低器件在高频条件下的短沟道效应（SCE）。
室温条件下的霍尔测试得到材料方阻195 Ω/sq，载流子浓度1.8 × 1013cm-2，载流子迁移率1770 cm2/V•s。采用电子束工艺定义的60 nm直栅结构器件显示出优异的直流和微波性能，饱和电流密度达到2.5 A/mm，线性区电阻0.94 /mm，峰值跨导达到0.97 S/mm，电流增益截止频率达到261 GHz，功率增益截止频率74 GHz，有效载流子速度达到0.98×107 cm/s。该成果是目前60 nm栅长GaN基HEMTs器件领域的最佳性能。计算1 mA/mm时的漏致势垒降低（DIBL）得到200 mV/V，显示出该器件在高频条件下具有较好的短沟道抑制性能。
