该分会主持人由中科院苏州纳米所研究员、博士生导师、纳米测试中心主任，苏州纳维科技有限公司董事长，中组部国家千人计划、国家杰出青年基金获得者徐科和中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵及美国佐治亚理工学院教授Russell DUPUIS共同担任。
半导体照明是第三代半导体技术所实现的第一个突破口，如今LED发光技术的进步现已突破传统的照明概念，并已开拓、发展LED发光新技术领域。沿长波方向，已从蓝光拓宽到绿光、黄光、红光，发展“超越照明”，开拓在生物、农业、医疗、保健、航空、航天和通信等领域应用；沿短波方向，现已发展高效节能、环境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代电真空紫外光源，引领紫外技术的变革，开拓紫光应用广阔领域。
有数据显示，紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元， 2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。
南京大学陆海 教授
会上，来自南京大学陆海教授分享了“基于宽禁带半导体材料的可见盲和日盲光电探测器的研究进展”研究报告。
陆海生于1974年，于1996年和1999年在南京大学物理系获学士、硕士学位；于2003年在美国康奈尔大学（Cornell University）电子与计算机工程系获博士学位，师从美国工程院院士Lester Eastman教授。于2004年，受聘于美国通用电气公司（GE）研发中心任高级研究员；于2006年9月归国任教于南京大学物理系及电子科学与工程学院，现任南京大学特聘教授，兼任南京微结构国家实验室（筹）主任研究员（PI）。 主要从事宽禁带半导体材料和器件研究，获得多项有影响力的成果。近年来重点开展GaN基高功率电子器件、深紫外探测器件、及新型氧化物透明薄膜晶体管研究。已发表学术论文两百余篇，其中包括SCI论文180余篇。2007年入选教育部新世纪人才支持计划；2008年获得国家杰出青年科学基金资助；2012年入选教育部长江学者特聘教授。
他在报告中介绍到，由于宽带隙半导体的带隙能量大，电子饱和速率高，耐辐射性和耐温性强，其在紫外探测器中的应用引起了广泛的关注。光电探测器具有许多应用潜质，包括火焰检测，环境监测，化学/生物药剂监测和太阳物理学等应用。
他介绍了，近期在材料生长和基于三族氮化物半导体材料和 SiC的紫外光电探测器的设计和制作。相关的器件包括：制作在具有增强量子效应的蓝宝石衬底上的 GaN光电探测器，制作在低位错密度的同质外延的 GaN上的大面积 GaN MSM雪崩光电二极管， 具有超低暗电流的AlGaN基 MSM太阳盲区光电探测器，具有高量子效应的 AlGaN基 p-i-n太阳盲区光电探测器，高增益的AlGaN基太阳盲区雪崩光电二极管，具有单光子计数能力的 SiC雪崩光电二极管。
他还表示，单光子探测APD和合作单位研制了单光子探测模块，总体来说非常好，性能比单个器件还要好，跟一些用户，做紫外激光雷达来讲定义就是我们可用的，模块马上可以用。宽禁带半导体制备紫外光电探测器优选的材料，氮化镓常规结构的紫外探测器技术上很成熟，主要是批量生产和推广应用的问题，做氮化物半导体APD来讲主要是材料影响，碳化硅材料非常好，目前做出APD的性能已经很好，已经可以进入到应用阶段。
