该分会主持人由中科院苏州纳米所研究员、博士生导师、纳米测试中心主任，苏州纳维科技有限公司董事长，中组部国家千人计划、国家杰出青年基金获得者徐科和中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵及美国佐治亚理工学院教授Russell DUPUIS共同担任。
半导体照明是第三代半导体技术所实现的第一个突破口，如今LED发光技术的进步现已突破传统的照明概念，并已开拓、发展LED发光新技术领域。沿长波方向，已从蓝光拓宽到绿光、黄光、红光，发展“超越照明”，开拓在生物、农业、医疗、保健、航空、航天和通信等领域应用；沿短波方向，现已发展高效节能、环境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代电真空紫外光源，引领紫外技术的变革，开拓紫光应用广阔领域。
有数据显示，紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元， 2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。
会上，来自日本名城大学副教授Motoaki IWAYA分享了“高性能紫外发射器和光传感器的制备”研究报告。Motoaki Iwaya（岩谷素顕），名城大学理工学部材料机能工学科副教授，应用物理学会、SPIE、材料研究学会和日本结晶成长学会会员。研究领域包括半导体器件、氮化物半导体的材料生长与器件制备、发光二极管、半导体激光器、场效应晶体管、太阳能电池和其他光元件，在APEX/JJAP/JCG/PSS等期刊上发表了180余篇论文。
报告中指出，因为AlGaN器件性能提高，EQE可以在蓝宝石以及AlGaN的衬底上可以实现，大概能够提高10%，接下来的目标就是UV结构和光电传感器应用。我们要看看目前的现状以及未来的前景，就是AlGaN紫外线。AlGaN紫外开发的现状，未来将会出现一系列的应用，半导体的应用，还有红外线的应用。
Motoaki IWAYA表示，之前我们讨论过UVLD的输入率，波长越短这个ALGaNUV雷射辐射率非常高达到360纳米，实现更短的波长激光雷射用现有的输入率，会受到限制。我们要实现很高的ARN很低，现在我们电子光束增强雷射激光，它的偏振会在ALGaN、GaN和P- GaN中解决，这可以解决我们现有输入系统的问题。
所以对我们ALGaNUV激光来讲是非常有效的解决方案。进一步扩大我们氮化物半导体UV电子器件的性能。UV的光传感器有以下几个特征，ALGaN和GaN可以获得非常高的光敏感度反射率非常高，超过10的6次方这样一个峰值波长，波长是250纳米。
