该分会主持人由中科院苏州纳米所研究员、博士生导师、纳米测试中心主任，苏州纳维科技有限公司董事长，中组部国家千人计划、国家杰出青年基金获得者徐科和中科院半导体研究所所长助理、研究员张韵及美国佐治亚理工学院教授Russell DUPUIS共同担任。
半导体照明是第三代半导体技术所实现的第一个突破口，如今LED发光技术的进步现已突破传统的照明概念，并已开拓、发展LED发光新技术领域。沿长波方向，已从蓝光拓宽到绿光、黄光、红光，发展“超越照明”，开拓在生物、农业、医疗、保健、航空、航天和通信等领域应用；沿短波方向，现已发展高效节能、环境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代电真空紫外光源，引领紫外技术的变革，开拓紫光应用广阔领域。
有数据显示，紫外线LED应用于光固化市场产值2021年将达1.95亿美元， 2020年紫外线LED光固化模组的渗透率将来到50~60%。紫外LED杀菌与净化应用的市场产值2021年将达2.57亿美元。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所博士后 苏旭军
会上，来自中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所博士后苏旭军分享了“氢化物气相外延生长的C面蓝宝石氮化铝结构的TEM研究”报告。报告中提出，用常规和高分辨电子显微镜研究结构缺陷，采用两步处理法在c面氮化铝/蓝宝石上用氢化物气相外延法。
缺陷结构包括穿线位错，部分位错边界堆叠层错和反转域，通过扫描透射电子显微镜，衍射对比度，高分辨率成像，和会聚性电子衍射对其进行分析。AlN薄膜在低温下开始生长，随后在高温中生长。缓冲层呈现出高密度穿线位错和反转域。
高分辨率电子显微镜和会聚性电子衍射支撑IDB的模型的反域边界，通过转化IDB的一边，c/2沿[0001]方向形成。以上~0.5靘厚，刃型位错与Burger向量 b=1/3<11-20>被发现是在氮化铝高温层的主要缺陷。在AlN和HT AlN界面发现枣形反转域，透射电子显微镜结果表明，交错的反转域主要出现在域边界。对形成和湮没机制进行了详细分析。
