11月16日，围绕氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术设置的专题分会，由山东大学校长、教授张荣，北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义，美国弗吉尼亚理工大学教授、美国工程院院士Fred C. LEE联合坐镇，召集了全球顶级专家精英，打造一场氮化镓等第三代半导体电力电子器件的盛会。
北京市科委双新处副处长 王红梅
其中，北京市科委双新处副处长王红梅出席会议并致辞。她在致辞中表示，当前全球第三代半导体技术产业正处于快速发展的窗口期，它的发展受到了各国政府以及更大范围产业的重视和支持。氮化镓是第三代半导体材料的典型代表。在过去十年中，在半导体照明的拉动下，氮化镓无论是材料和器件都得到了大幅的发展。未来氮化镓需要跟更多的应用需求相结合，并将在电力电子、通讯等领域有更广阔的发展空间。同时也将带动更多的下游应用领域的发展。
北京高度重视第三代半导体技术和产业的发展，并把它作为新材料领域的重点发展板块进行支持。“十三五”期间，北京第三代半导体技术和产业的发展，将根据一、二、三、四总体布局思路，围绕下游产业的应用，开展中上游材料和器件的研发，全链条部署一体化实施。
前期在大家的共同努力下，我们围绕下游产业应用需求，全产业链布局和推进一些重大技术的协同攻关，突破了6英寸碳化硅衬底材料关键化的产业技术。碳化硅二极管与三极管置备技术等一批产业化技术的研发和攻关。在国内率先实现了碳化硅器件的规模化生产和应用，初步建立起相对完善的碳化硅产业链。同时为国家第三代半导体产业技术创新产业联盟等三家单位共同签署协议，共建北京第三代半导体材料及应用联合创新基地，并共同出资注册成立实体化运营的公司全力推进联合创新基地的建设和产业集群的发展。
目前，联合创新基地已成功引进了20家左右的国内外优势机构入驻，其中包括荷兰戴尔福特理工大学中国研究院等机构。此外，创新基地办公大楼也在加紧施工中，预计明年年中左右投入使用。下一阶段，我们将进一步加大推进工作力度，尤其是推进氮化镓材料和器件的发展，整合更多的资源和力量，共同推动北京第三代半导体技术和产业的发展。
