2016年11月15日至17日，中国科技部与北京市人民政府主办的2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际会议在北京国际会议中心举行。其中，大会从技术、产业、应用等全链条策划，通过高峰论坛、专题研讨、应用峰会、合作论坛和创新大赛等多种形式，围绕第三代半导体的前沿发展和技术应用设置多个专场重点讨论。
11月16日，围绕氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术设置的专题分会，由山东大学校长、教授张荣，北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义，美国弗吉尼亚理工大学教授、美国工程院院士Fred C. LEE联合坐镇，召集了全球顶级专家精英，打造一场氮化镓等第三代半导体电力电子器件的盛会。会议现场十分火爆，受场地限制，很多与会代表都站着听完会议，火爆程度可想而知！
会上，来自麻省理工学院教授Tomas PALACIOS的学生yuhao zhang博士来代他介绍了“电力电子采用的低成本高性能的垂直GaN二极管和晶体管”主题报告。
Yuhao Zhang (张宇昊) 是麻省理工学院Tomás Palacios研究组中的博士研究生。他于2011年本科毕业于北京大学物理学院，2013年硕士毕业于麻省理工学院电子工程于计算机科学系。他的主要研究兴趣是基于氮化镓材料的电力电子器件和射频器件。他在IEEE International Electron Device Meeting、IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices等顶级会议及期刊上发表超过25篇文章，并有多次邀请报告和5项美国专利。
他表示，基于宽禁带半导体的电力电子器件有望极大地减小电力转化电路和系统的损耗以及提高功率密度，进而减小10%当前全世界的能量消耗。
垂直结构的氮化镓电力电子器件非常有希望于应用于下一代电力电子系统中。相比于水平结构氮化镓电力电子器件，垂直结构器件可以在不增加芯片面积的情况下实现较大的耐压和电流，以及更好的散热性能。但是，氮化镓衬底的高成本成为掣肘垂直结构的氮化镓器件商品化的重要瓶颈。
随后，yuhao zhang介绍了一种新型的垂直结构肖特基二极管。它利用MIS、trench和filed ring等结构，可以极高地提高二极管的耐压并减小反向漏电流。其次，我们将介绍一种新型的垂直结构三极管。它不需要使用p型氮化镓，可以实现常关型性能。
最后，虽然利用氮化镓衬底可以实现较高的性能，我们介绍我们在低成本的硅衬底上同样实现了高性能的氮化镓器件，这有望于极大地降低氮化镓垂直器件的成本。
