11月16日，围绕氮化镓及其它新型宽禁带半导体电力电子器件技术设置的专题分会，由山东大学校长、教授张荣，北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义，美国弗吉尼亚理工大学教授、美国工程院院士Fred C. LEE联合坐镇，召集了全球顶级专家精英，打造一场氮化镓等第三代半导体电力电子器件的盛会。会议现场十分火爆，受场地限制，很多与会代表都站着听完会议，火爆程度可想而知！
会上，来自台湾交通大学教授、副校长张翼介绍了La2O3/SiO2钝化和铜金属化的氮化镓增强型HEMT 器件最新研究进展。
张翼校长本科毕业于台湾清华大学获得材料科学与工程系，并于美国明尼苏达大学获得材料科学与工程系博士学位。张校长于1985年~1988年期间在美国Unisys Corp的砷化镓组件部门工作；1988~1990年间他在美国Comsat Labs微电子部门任职Senior MTS；1997~1999年他任职汉威光电公司总经理。1999年2月，张博士加入台湾交通大学任职教授。至今，他是台湾交通大学副校长、教授兼国际半导体产业学院院长。
张校长是美国电机电子工程师学会会士和中国材料科学学会会士。他获得过台湾经济部授予的大学产业经济贡献奖“產業深耕獎”、台湾经济部第一届国家产业创新奖“产业创新学术奖”、2008和2012年度的台湾科技部“杰出研究奖”、2011年度的台湾科技部“杰出技术转移贡献奖”及2008年度中国电机工程学会颁发的“杰出电机工程教授奖”。
氮化镓及其相关材料因其高带隙性质有望成为高功率和高频应用材料。生长在大型硅基底的氮化镓高电子迁移率场效晶体管（ HEMT）被认为可以在保持应有表现的情况下显著减少功率切换器件的生产成本。为了达到高效率，低电流崩塌的氮化镓 HEMT器件的功率开关应用中，需要考虑不同的材料和工艺问题。
在报告中，用La2O3/SiO2 钝化GaN HEMT。为了实现正常关闭装置，展示了以下几种方法，包括门槽，F等离子处理和高k隔层嵌入。为了降低生产成本，对全铜基金属化GaN HEMT进行实验。展示使用上述技术的GaN模块的性能。
