可靠性与热管理是影响LED照明高品质的重要因素，蔓延在产业链的各环节，一直备受关注。随着半导体照明产业及市场的不断成熟，进入新的发展阶段，进一步提高LED的发光效率和降低LED的制备成本更为非常重要，丝毫不能放松。
11月15日，一年一度的行业盛会--第十三届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2016）在北京国际会议中心召开。11月17日上午，SSLCHINA的经典分会--“可靠性与热管理技术”，隆重举行。来自德国英戈尔施塔特应用技术大学的Alexander Hanss教授对LED瞬态热阻测量的国际标准进行了介绍。
Alexander Hanss教授表示，LED的可靠性取决于结温，进而取决于LED模块的热阻。用于测量LED封装的实际热阻的通用标准是JESD51-51。它基于MIL-STD-750D方法3101.3中描述的二极管的热阻抗测量标准以及在JESD51-14标准中的瞬态测量。瞬态测量基于半导体器件的正向电压的温度的依赖性。
为了获得热阻，需要测量正向电压、结温度和热负载之间的比例常数，即用于计算热负荷的电功率和光功率。由于热阻是基于三个主要测量：时间分辨电测量，光学测量和k常数测量。因此，LED的热阻测量需要大量工作且容易出错。由于技术挑战，JESD51-51和JESD51-14是实际值和理论背景之间的拟合。在文件和解决方案中没有定义瞬态热分析的清晰工作流程，这是为了避免和滤除技术挑战和测量误差源不足以解释的情况。由于电流开关之后结的电响应和寄生电子响应，早期不能测量热瞬态，但是没有解决如何标准化处理数据的方式的方式。此外，如何确保数据质量，即定义信噪比的最大值的过程没有得到足够的解释。
Alexander Hanss教授介绍说，为了克服当前的情况，我们定义了执行瞬态热阻测量的工作流程，并建立了热循环。在本文中，首先解释了瞬态热阻测量中的典型误差。基于所讨论的误差和JESD51-51 / 14a的瞬态热电阻测量的实际工作流程定义了热循环过程。循环的第一个结果是在中国（中国科学院半导体研究所）和德国（因戈尔施塔特技术大学）实验室获得的测量结果。
按计划，将有更多的LED制造商，模块装配商和可靠性研究所的更多实验室加入，促进实际工作流程的推广，保证的瞬态热电阻测量的质量。
