11月15日-17日，2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛（以下简称“跨国技术转移大会”）在北京国际会议中心举行，第十三届中国国际半导体照明论坛并与之同期同地举行。其中，在11月17日召开的“碳化硅电力电子器件技术分会”现场，聚集了来自全球各地顶尖专家，高质量报告密集发布，亮点十足。
会上，来自广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授冯哲川分享了“n + 4H SiC上的同质外延4H-SiC薄膜和深紫外-紫外-可见光的光谱特性”研究报告。
碳化硅(SiC)是重要的第三代宽禁带半导体材料，具有良好的物理和化学特性，如高导热性、高硬度、高电子迁移率、高击穿电压和低导电常数等，适用于高温和高压器件以及传感器应用。碳化硅含有多种类型，其中4H-SiC具有最高电子迁移率和室温下第二最大能隙，其已实现大尺寸晶片的量产。
冯哲川表示，4H-SiC在同质外延方面的研发至关重要。我们对一系列的4H-SiC进行系统的深入研究，其为在n+型4H-SiC基底上通过低压高温化学气相沉积(CVD)法生长不同C:Si比率的同质外延薄膜。我们采用多学科表征技术研究这些n-型4H-SiC/n+型4H-SiC材料，包括光致发光谱(PL)、拉曼散射(RS)、椭园偏振光谱(SE)、傅里叶红外光谱(FTIR)和X-射线光电子能谱(XPS)等。
4H-SiC样品的低温(2K)下的PL谱展示了窄的激子谱线、声子伴线和施主-受主对(DAP)，其提供了微量残余杂质元素的有用信息。可见光的拉曼测量获得了横向光学声子模（TO），纵光学声子模(LO)和来自n+型重掺杂基底的LO声子与等离子体耦合(LOPC)模。在紫外光325nm激光的激发下，LOPC模相对于LO声子的强度极大地减弱，且在深紫外266nm激发下未出现。
冯哲川表示，由详尽的理论模拟和光谱线形分析，我们做出了对于薄膜的晶体完美性以及生长过程中随硅/碳流量比的变化的定量表征。从深紫外拉曼测量还可得知某些同质外延4H-SiC薄膜的近表面(大约1 mm)层有较高的缺陷密度或晶体结构完整性较差。
亦进行了拉曼深度剖面测量，即沿薄膜生长方向进行每间隔0.5 mm的自动步进测量。通过对LO模的理论模拟，可获取沿着生长方向约6 mm 厚度的4H-SiC薄膜之载流子浓度的变化即掺杂浓度的分布。这些结果和实验理论相结合的方法具有重要的科学意义，且适用于碳化硅材料的生长和工业发展。
