当前位置: 首页 » 资讯 » 产业资讯 » 产业 » 正文

【SSLCHINA 2016】美国维易科Mark Mckee:通过高性能As/P MOCVD和离子束溅射技术加快光子发展

放大字体  缩小字体 发布日期:2016-11-29 来源:中国半导体照明网浏览次数:267
   LED通用照明进入到规模性爆发的关键时期,进一步提高LED的发光效率和降低LED的制备成本仍然非常重要。目前,在外延方法、能量转换效率、热能管理、生产设备和工艺过程控制方面,LED仍有大幅提升空间。材料与装备技术对于LED性价比的提升至关重要,也是LED照明市场获得发展的关键推动力。
 
  在今年一年一度的半导体照明国际盛会--第十三届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2016)期间。在 “材料与装备技术分会”聚拢了该领域一大批国际专家和企业家,畅谈产业核心材料及重大装备新进展,聚焦国产化装备及材料新进展。分会主持由中科院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心副主任王军喜和佐治亚理工大学教授Russell Dupuis共同担任。
美国维易科Mark Mckee:通过高性能As/P MOCVD和离子束溅射技术加快光子发展
  会上,来自美国维易科精密仪器有限公司市场营销总监Mark Mckee介绍了通过高性能As/P MOCVD和离子束溅射技术加快光子发展情况。
 
  他表示,随着人们对数据通信、传感、红外照明和光纤泵浦的需求增多,光子器件如VCSEL激光器,EE激光器越来越受欢迎。未来五年现有和新增应用将呈现两位数增长。
 
  同时,MOCVD技术和设备满足了光子制造商对生产设备的需求。这是器件制造迈出的关键一步,MOCVD技术严格的性能要求和技术创新满足了客户日益增长的需求。这些创新必然推动高收益和生产力,降低制造成本和增强设备制造商的盈利能力。
 
  此外,Mark Mckee还表示, AR和HR的低吸收涂层需要长久的使用寿命和卓越的性能。离子束溅射是一种已被证明的沉积技术,实现了所需的性能。本演讲将重点放在新k475i?MOCVD平台,其实现了光子器件大批量制造的成本要求,以及显著证明了AR和HR涂层所用的SPECTOR?离子束溅射技术。
 
【版权声明】本网站所刊原创内容之著作权为「中国半导体照明网」网站所有,如需转载,请注明文章来源——中国半导体照明网;如未正确注明文章来源,任何人不得以任何形式重制、复制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部。
 
[ 资讯搜索 ]  [ 加入收藏 ]  [ 告诉好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 关闭窗口 ]

 
0条 [查看全部]  相关评论

 
关于我们 | 联系方式 | 使用协议 | 版权隐私 | 诚聘英才 | 广告服务 | 意见反馈 | 网站地图 | RSS订阅